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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Low-Frequency Noise in High-Mobility a-InGaZnO/InSnO Nanowire Composite Thin-Film Transistors 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2017, 卷号: Vol.38 No.11, 页码: 1540-1542 作者:  Wan, D;  Abliz, A;  Su, M;  Liu, CS;  Jiang, CZ 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 Indium tin oxide  Thin film transistors  Iron  1/f noise  Electron traps  Logic gates  Fluctuations  Amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-InGaZnO)  indium-tin-oxide (ITO) nanowire (NW)  thin-film transistors (TFTs)  low-frequency noise (LFN)  1/f noise model