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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 SCIENCE IN CHINA SERIES E-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: #REF! 作者:  Sun, YP;  Fu, Y;  Qu, B;  Wang, YT;  Feng, ZH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/04/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate   Thermal stability of cubic GaN film grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(001) 期刊论文 PHYSICS LETTERS A, 2002, 卷号: 299, 期号: 1, 页码: #REF! 作者:  Xu, M;  Liu, CX;  Liu, HF;  Luo, GM;  Chen, XM 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/04/12 Structural characteristic of cubic GaN nucleation layers on GaAs(001) substrates by MOCVD 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2002, 卷号: 242, 期号: 1-2, 页码: #REF! 作者:  Zheng, XH;  Feng, ZH;  Wang, YT;  Zheng, WL;  Jia, QJ 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/04/12 nucleation layers  X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides   Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764 作者:  Xu, DP;  Wang, YT;  Yang, H;  Li, SF;  Zhao, DG 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/06/29 Interfacial structure of molecular beam epitaxial grown cubic-GaN films on GaAs(001) probed by x-ray gazing-angle specular reflection 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 74, 期号: 20, 页码: 2981-2983 作者:  Li, JH;  Chen, H;  Cai, LC;  Cui, SF;  Yu, WX 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/06/29