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科研机构
上海微系统与信息技术... [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2005 [2]
2002 [1]
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专题:上海微系统与信息技术研究所
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Exciton localization effect in Mn-implanted GaN by photoluminescence measurements
期刊论文
PHYSICA B-CONDENSED MATTER, 2009, 卷号: 404, 期号: 8-11, 页码: 1222-1225
Meng, XY
;
Zhang, YH
;
Shen, WZ
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MAGNETIC-PROPERTIES
THIN-FILMS
POTENTIAL FLUCTUATIONS
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
TRANSITIONS
EPILAYERS
LAYERS
LEVEL
A comparison of pulsed-laser-deposited and ion-beam-enhanced-deposited AlN thin films for SOI application
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 124-128
Men, CL
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
EPITAXIAL-GROWTH
ALUMINUM NITRIDE
ELECTRICAL-PROPERTIES
SILICON
INSULATOR
TEMPERATURE
FABRICATION
SI(111)
AIN
Optical and electrical properties of p-type zinc oxide thin films synthesized by ion beam assisted deposition
期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2005, 卷号: 492, 期号: 1-2, 页码: 203-206
Yan, Z
;
Song, ZT
;
Liu, WL
;
Wan, Q
;
Zhang, FM
;
Feng, SL
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ZNO FILMS
TEMPERATURE
Annealing effect on electrical properties of high-k MgZnO film on silicon
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: L15-L19
Liang, J
;
Wu, HZ
;
Chen, NB
;
Xu, TN
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
GATE DIELECTRICS
THIN-FILMS
ZRO2
SI
TEMPERATURE
TRANSISTORS
SI(100)
Thermochemical process occurring in PLD-derived SiC films during vacuum annealing
期刊论文
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2002, 卷号: 193, 期号: 1-4, 页码: 204-209
Wang, YX
;
He, HP
;
Wang, LW
;
Liu, D
;
Tang, HG
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
SILICON-CARBIDE
LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
OXIDATION
SUBSTRATE
INTERFACE
GROWTH
TEMPERATURE
Preparation of AlN films by ion-beam-enhanced deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2001, 卷号: 18, 期号: 9, 页码: 1282-1284
Men, CL
;
Xu, Z
;
Zheng, ZH
;
Duo, XZ
;
Zhang, M
;
Lin, CL
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
NITRIDE FILMS
TEMPERATURE
ALUMINUM
Characterization of GaN grown by RF plasma MBE
期刊论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2000, 卷号: 75, 期号: 2-3, 页码: 224-227
Li, W
;
Li, AZ
;
Qi, M
;
Zhang, YG(张永刚)
;
Zhao, ZB
;
Yang, QK
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
BUFFER LAYER
DOPED GAN
TRANSITIONS
TEMPERATURE
Effect of annealing on SiC thin films prepared by pulsed laser deposition
期刊论文
DIAMOND AND RELATED MATERIALS, 1999, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 2099-2102
Huang, JP
;
Wang, LW
;
Wen, J
;
Wang, YX
;
Lin, CL
;
Ostling, M
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/03/25
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CUBIC SILICON-CARBIDE
EPITAXIAL-GROWTH
TEMPERATURE
ABLATION
DEVICES
Growth of SiC thin films on (100) and (111) silicon by pulsed laser deposition combined with a vacuum annealing process
期刊论文
WIDE-BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR HIGH-POWER, HIGH-FREQUENCY AND HIGH-TEMPERATURE APPLICATIONS-1999, 1999, 卷号: 572, 页码: 207-212
Huang, JP
;
Wang, LW
;
Wen, U
;
Wang, YX
;
Lin, CL
;
Zetterling, CM
;
Ostling, M
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/03/25
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
CARBIDE
TEMPERATURE
DEVICES
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