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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利 专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18 作者:  彭朝阳;  刘新宇;  刘国友;  李诚瞻;  汤益丹 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/07 一种镍-自对准硅化物的制备方法 专利 申请日期: 2009-02-09, 公开日期: 2016-03-18 作者:  尚海平;  徐秋霞 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/03/18 高性能70nm CMOS器件 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 6，134-139 作者:  徐秋霞;  钱鹤 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/05/25 Cmos器件   采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法 专利 专利号: CN1360341, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26 作者:  钱鹤;  邢小平;  徐秋霞;  柴淑敏 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26 一种钴－自对准硅化物的方法 专利 专利号: CN1360340, 申请日期: 2000-12-19, 公开日期: 2002-07-24, 2010-11-26 作者:  钱鹤;  柴淑敏;  徐秋霞;  季红浩 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/26