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| 一种冗余金属填充区域版图的处理方法及系统 专利
专利号: CN201610053449.3, 申请日期: 2018-11-02, 公开日期: 2016-07-06
作者: 曹鹤 ; 陈岚; 张贺
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| 一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410479915.5, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-04-13
作者: 唐兆云; 杨萌萌; 许静; 王红丽; 唐波
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| 一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410710028.4, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-06-22
作者: 唐兆云; 徐烨锋; 唐波; 王红丽; 许静
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| 一种中高压沟槽型功率器件的终端结构及其制作方法 专利
专利号: CN201310086262.X, 申请日期: 2018-04-03, 公开日期: 2014-06-04
作者: 喻巧群; 朱阳军; 卢烁今; 田晓丽
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| 一种化学机械研磨方法 专利
专利号: CN201410643429.2, 申请日期: 2018-02-02, 公开日期: 2016-05-18
作者: 陈岚; 曹鹤
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| 一种冗余金属的填充方法及其系统 专利
专利号: CN201410723722.X, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2015-02-25
作者: 陈岚; 孙艳; 曹鹤
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| 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利
专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27
作者: 史晶晶; 白云; 刘可安; 申华军; 汤益丹
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| 双金属栅极CMOS器件及其制造方法 专利
专利号: CN201210129587.7, 申请日期: 2015-10-14, 公开日期: 2013-10-30
作者: 殷华湘; 付作振; 徐秋霞; 陈大鹏
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| 一种U型FinFET或非门结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410459578.3, 申请日期: 2014-09-10,
作者: 尹海洲; 刘云飞; 李睿
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| 基于区域几何同构和电学同构加速哑金属填充的方法 专利
专利号: CN201110352024.X, 申请日期: 2014-08-13, 公开日期: 2012-06-20
作者: 陈岚; 吴玉平; 叶甜春
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