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新疆理化技术研究所 [7]
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学位论文 [3]
发表日期
2021 [1]
2020 [1]
2018 [1]
2014 [1]
2013 [2]
2011 [1]
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模拟数字转换器AD574总剂量和单粒子翻转的协合效应
期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 93-98
作者:
相传峰1,2,3
;
姚帅2,3,4
;
于新2,3
;
李小龙2,3
;
陆妩1,2,3
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2021/09/07
模拟数字转换器
总剂量效应
单粒子翻转
协合效应
CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展
期刊论文
核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 50-58
作者:
蔡毓龙
;
李豫东
;
文林
;
郭旗
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/03/13
CMOS图像传感器
单粒子效应
抗辐射加固技术
空间辐射
The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927
作者:
Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]
;
Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]
;
Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ]
;
Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ]
;
Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ]
收藏
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2018/09/27
Charge Sharing
Single-event Upset (Seu)
Static Random Access Memory
Total Ionizing Dose (Tid)
累积剂量影响静态随机存储器单粒子效应敏感性研究
期刊论文
物理学报, 2014, 卷号: 63, 期号: 1, 页码: 387-392
作者:
肖尧
;
郭红霞
;
张凤祁
;
赵雯
;
王燕萍
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2014/11/11
累积剂量
单粒子效应
静态随机存储器
反印记效应
SiGe HBT单粒子效应损伤机理研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:
张晋新
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浏览/下载:126/0
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提交时间:2013/06/03
锗硅异质结双极晶体管
单粒子效应
三维数值仿真
激光微束试验
电荷收集
敏感区域定位
SbTe基相变存储材料辐射效应及损伤机理研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:
周东
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2013/06/05
相变材料
总剂量辐射效应
位移效应
电子束诱导相变
激光诱导相变
SOI CMOS静态随机存储器总剂量辐射效应及评估技术的研究
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:
李明
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/05/24
SOI
SRAM
总剂量辐射效应
评估技术
实验方法
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