CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展 | |
蔡毓龙; 李豫东; 文林; 郭旗 | |
刊名 | 核技术
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2020 | |
卷号 | 43期号:1页码:50-58 |
关键词 | CMOS图像传感器 单粒子效应 抗辐射加固技术 空间辐射 |
ISSN号 | 0253-3219 |
英文摘要 | 互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)在空间应用时会受到单个粒子辐照影响,这通常会导致CIS采集图像出现异常,严重时会导致器件功能失效。本文从不同粒子的角度:重离子、质子、电子和中子,从CIS容易发生的单粒子效应类型:单粒子瞬态(Single Event Transient,SET)、单粒子翻转(Single Event Upset,SEU)、单粒子闩锁(Single Event Latchup,SEL)、单粒子功能中断(Single Event Functional Interrupt,SEFI)等方面综述了CIS单粒子效应研究进展。简要介绍了CIS单粒子效应加固技术研究进展。分析总结了目前CIS单粒子效应及加固技术中亟待解决的问题,为今后深入开展相关研究提供理论参考。 |
CSCD记录号 | CSCD:6655612 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7225] ![]() |
专题 | 新疆理化技术研究所_中国科学院特殊环境功能材料与器件重点试验室 |
作者单位 | 1.中国科学院大学 2.新疆电子信息材料与器件重点实验室 3.中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室 4.中国科学院新疆理化技术研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡毓龙,李豫东,文林,等. CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展[J]. 核技术,2020,43(1):50-58. |
APA | 蔡毓龙,李豫东,文林,&郭旗.(2020).CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展.核技术,43(1),50-58. |
MLA | 蔡毓龙,et al."CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展".核技术 43.1(2020):50-58. |
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