中国开放科研知识云: 检索

验证码:

换一张

忘记密码？记住我

取消登录

CORC

首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务

在结果中检索

科研机构

新疆理化技术研究所 [11]

内容类型

期刊论文 [9]

学位论文 [2]

发表日期

学科主题

知识图谱

CORC

已提交作品

待认领作品

已认领作品

未提交全文

浏览/检索结果: 共11条，第1-10条

帮助

限定条件	专题：新疆理化技术研究所第一署名单位第一作者单位通讯作者单位

已选(0)清除条数/页：排序方式：
	Impact of High TID Irradiation on Stability of 65 nm SRAM Cells 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2022, 卷号: 69, 期号: 5, 页码: 1044-1050 作者: Cui, JW (Cui, Jiangwei) [1]; Zheng, QW (Zheng, Qiwen) [1]; Li, YD (Li, Yudong) [1]; Guo, Q (Guo, Qi) [1] 收藏 \| 浏览/下载：17/0 \| 提交时间：2022/06/21 SRAM cells Radiation effects Arrays Stability criteria Circuit stability Voltage measurement Logic gates Stability static random-access memory (SRAM) cell total ionizing dose (TID)
	Read Static Noise Margin Decrease of 65-nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 2, 页码: 691-697 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen); Cui, JW (Cui, Jiangwei); Yu, XF (Yu, Xuefeng); Lu, W (Lu, Wu); He, CF (He, Chengfa) 收藏 \| 浏览/下载：48/0 \| 提交时间：2018/05/15 Static Noise Margin (Snm) Static Random Access Memory (Sram) Total Ionizing Dose (Tid)
	The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 8, 页码: 1920-1927 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1 ]; Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1 ]; Lu, W (Lu, Wu)[ 1 ]; Guo, HX (Guo, Hongxia)[ 1 ]; Liu, J (Liu, Jie)[ 2 ] 收藏 \| 浏览/下载：53/0 \| 提交时间：2018/09/27 Charge Sharing Single-event Upset (Seu) Static Random Access Memory Total Ionizing Dose (Tid)
	Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2017, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: 1-5 作者: Zheng, QW (Zheng, Qiwen); Cui, JW (Cui, Jiangwei); Liu, MX (Liu, Mengxin); Su, DD (Su, Dandan); Zhou, H (Zhou, Hang) 收藏 \| 浏览/下载：38/0 \| 提交时间：2017/12/05 Silicon-on-insulator Total Ionizing Dose Static Random Access Memory Static Noise Margin
	静态随机存储器总剂量辐射损伤机制及试验方法研究学位论文博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者: 郑齐文收藏 \| 浏览/下载：49/0 \| 提交时间：2015/06/15 大规模集成电路总剂量辐射静态随机存储器损伤机制试验方法
	Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micron SRAM induced by total dose irradiation 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 10 作者: Zheng, QW (Zheng Qi-Wen); Cui, JW (Cui Jiang-Wei); Zhou, H (Zhou Hang); Yu, DZ (Yu De-Zhao); Yu, XF (Yu Xue-Feng) 收藏 \| 浏览/下载：15/0 \| 提交时间：2017/09/21 Total Dose Irradiation Static Random Access Memory Functional Failure Mode
	微纳大规模集成电路SRAM的总剂量辐射损伤机理及评估方法研究学位论文硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014 作者: 丛忠超收藏 \| 浏览/下载：29/0 \| 提交时间：2014/09/02 SRAM 测试系统辐照偏置静态功耗电流失效模式
	总剂量辐射环境中的静态随机存储器功能失效模式研究期刊论文物理学报, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384 作者: 郑齐文; 余学峰; 崔江维; 郭旗; 任迪远收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2013/11/06 静态随机存储器功能失效测试图形数据保存错误
	research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: - 作者: Zheng Qi-Wen; Yu Xue-Feng; Cui Jiang-Wei; Guo Qi; Ren Di-Yuan 收藏 \| 浏览/下载：12/0 \| 提交时间：2013/11/07 SRAM function failure test pattern data retention fault
	research on sram functional failure mode induced by total ionizing dose irradiation 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 11, 页码: 378-384 作者: Zheng Qi-Wen; Yu Xue-Feng; Cui Jiang-Wei; Guo Qi; Ren Di-Yuan 收藏 \| 浏览/下载：1/0 \| 提交时间：2013/11/07 Sram Function Failure Test Pattern Data Retention Fault

相关链接
欧盟学术资源开放存取平台
CALIS高校机构知识库
台湾学术机构典藏
香港机构知识库整合系统
中国科学院机构知识库网格系统

CORC
关于我们
服务条款
隐私条款

联系我们
0931-8270076
cspace@llas.ac.cn
China-OR

中文简体

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace