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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single event upset sensitivity of 45 nm FDSOI and SOI FinFET SRAM 期刊论文 SCIENCE CHINA-TECHNOLOGICAL SCIENCES, 2013, 卷号: 56, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 780-785 作者:  Tang Du;  Li YongHong;  Zhang GuoHe;  He ChaoHui;  Fan YunYun 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/03 SOI FinFET SRAM  single event upset sensitivity  FDSOI SRAM   Experimental study on heavy ion single event effects in SOI SRAMs 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2009, 卷号: 267, 期号: 1, 页码: 83-86 作者:  Li Yonghong;  He Chaohui;  Zhao Fazhan;  Guo Tianlei;  Liu Gang 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/18 SOI SRAM  Single event upset rate  Single event upset   Research of SBB Effect on SOI-MOSFET Low Power 4T SRAM Cell 会议论文 作者:  Ma, Zhuang;  Yu, Sichen;  Shao, Zhibiao 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18 SOI  SBB  4T SRAM  Cross-shaped gate  on/off-state current ratio