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| 双沟道HEMT太赫兹探测器 专利
申请日期: 2018-03-30,
作者: 林启敬; 孟庆之; 蒋维乐; 景蔚萱; 韩枫
  收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| TCAD Simulation for nonresonant terahertz detector based on double-channel GaN/AlGaN high-electron-mobility transistor 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 页码: 4807-4813
作者: Meng, Qingzhi; Lin, Qijing; Jing, Weixuan; Han, Feng; Zhao, Man
收藏 | 浏览/下载：44/0 | 提交时间：2019/11/19
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| 金刚石衬底氮化镓 HEMT大功率器件热分析 学位论文
2018
作者: 陈旭东
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/11/26
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| 氮化镓器件ESD防护性能研究 学位论文
2018
作者: 孙健
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/11/26
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| Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs 会议论文
作者: Cui, Miao; Cai, Yutao; Lam, Sang; Liu, Wen; Zhao, Chun
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/11/26
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| GaN HEMT的制作和特殊栅结构对其性能的影响 学位论文
2017
作者: 张思齐
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/11/26
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| Design of power integrated circuits in full AlGaN/GaN MIS-HEMT configuration for power conversion 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2017, 卷号: 214
作者: Sun, Ruize; Liang, Yung C.; Yeo, Yee-Chia; Wang, Yun-Hsiang; Zhao, Cezhou
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/11/26
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| Au-Free AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Embedded Current Sensing Structure for Power Switching Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 3515-3518
作者: Sun, Ruize
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/11/26
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| Comparative Study of Depletion and Enhancement Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 学位论文
2016
作者: Makhdoom Shahid Hussain
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/11/26
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| Realistic Trap Configuration Scheme With Fabrication Processes in Consideration for the Simulations of AlGaN/GaN MIS-HEMT Devices 会议论文
作者: Sun, Ruize; Liang, Yung C.; Yeo, Yee-Chia; Wang, Yun-Hsiang; Zhao, Cezhou
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/02
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