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双沟道HEMT太赫兹探测器 专利
申请日期: 2018-03-30,
作者:  林启敬;  孟庆之;  蒋维乐;  景蔚萱;  韩枫
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/11/26
TCAD Simulation for nonresonant terahertz detector based on double-channel GaN/AlGaN high-electron-mobility transistor 期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 页码: 4807-4813
作者:  Meng, Qingzhi;  Lin, Qijing;  Jing, Weixuan;  Han, Feng;  Zhao, Man
收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/11/19
金刚石衬底氮化镓 HEMT大功率器件热分析 学位论文
2018
作者:  陈旭东
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26
氮化镓器件ESD防护性能研究 学位论文
2018
作者:  孙健
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26
Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs 会议论文
作者:  Cui, Miao;  Cai, Yutao;  Lam, Sang;  Liu, Wen;  Zhao, Chun
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26
GaN HEMT的制作和特殊栅结构对其性能的影响 学位论文
2017
作者:  张思齐
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26
Design of power integrated circuits in full AlGaN/GaN MIS-HEMT configuration for power conversion 期刊论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2017, 卷号: 214
作者:  Sun, Ruize;  Liang, Yung C.;  Yeo, Yee-Chia;  Wang, Yun-Hsiang;  Zhao, Cezhou
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26
Au-Free AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Embedded Current Sensing Structure for Power Switching Applications 期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 3515-3518
作者:  Sun, Ruize;  Liang, Yung C.;  Yeo, Yee-Chia;  Zhao, Cezhou
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26
Comparative Study of Depletion and Enhancement Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 学位论文
2016
作者:  Makhdoom Shahid Hussain
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26
Realistic Trap Configuration Scheme With Fabrication Processes in Consideration for the Simulations of AlGaN/GaN MIS-HEMT Devices 会议论文
作者:  Sun, Ruize;  Liang, Yung C.;  Yeo, Yee-Chia;  Wang, Yun-Hsiang;  Zhao, Cezhou
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02

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