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科研机构
北京大学 [13]
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期刊论文 [7]
其他 [6]
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2014 [3]
2013 [1]
2010 [2]
2005 [1]
2004 [2]
2002 [2]
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基于自热修正的SOI NMOSFETs热载流子注入效应寿命预测方法
期刊论文
中国科学信息科学, 2014
冯慧
;
安霞
;
杨东
;
谭斐
;
黄良喜
;
武唯康
;
张兴
;
黄如
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/11
自热效应
热载流子注入效应
热电阻
寿命预测
SOI
Total ionizing dose (TID) effect and single event effect (SEE) in quasi-SOI nMOSFETs
期刊论文
semiconductor science and technology, 2014
Tan, Fei
;
Huang, Ru
;
An, Xia
;
Wu, Weikang
;
Feng, Hui
;
Huang, Liangxi
;
Fan, Jiewen
;
Zhang, Xing
;
Wang, Yangyuan
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/11/13
quasi-SOI device
single event effect (SEE)
total ionizing dose (TID)
worst case
TECHNOLOGIES
TRANSISTOR
CANDIDATE
MOSFET
UPSET
高κ栅介质SOI nMOSFET正偏压温度不稳定性的实验研究
期刊论文
北京大学学报 自然科学版, 2014
李哲
;
吕垠轩
;
何燕冬
;
张钢刚
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/11/13
正偏置温度不稳定性(PBTI)
高介电常数栅介质
绝缘衬底上的硅型金属氧化层半导体场效应晶体管(SOI MOSFET)
退化
应力诱导漏电流(SILC)
PBTI
high-κ gate dielectrics
SOI MOSFET
degradation
SILC
Impact of back biasing in ultra short channel UTBB SOI nMOSFETs
其他
2013-01-01
Zhao, Kai
;
Lu, Tiao
;
Du, Gang
;
Liu, Xiao-Yan
;
Zhang, Xing
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
Parylene-coated NMOSFET-embedded cantilevers for surface stress sensing in liquid environment
其他
2010-01-01
Wang, J.
;
Huang, Y.
;
Wu, Wengang G.
;
Hao, Y.L.
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/11/13
Investigation of Different Strain Configurations in Gate-All-Around Silicon Nanowire Transistor
其他
2010-01-01
Yun, Quanxin
;
Zhuge, Jing
;
Huang, Ru
;
Wang, Runsheng
;
An, Xia
;
Zhang, Liangliang
;
Zhang, Xing
;
Wang, Yangyuan
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/11/13
ELECTRON-TRANSPORT PROPERTIES
CARRIER-TRANSPORT
PERFORMANCE
NMOSFETS
MOBILITY
MOSFETS
STRESS
CMOS
SOI
SI
SOICMOS technology for RF/MMIC applications - Yes or no?
其他
2005-01-01
Huang, R
;
Liao, HL
;
Zhang, GY
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
DEPLETED SOI MOSFETS
NOISE PERFORMANCE
FREQUENCY NOISE
RF APPLICATIONS
SUBSTRATE
AMPLIFIER
NMOSFETS
IMPACT
AC
Monte Carlo simulation of hole non-stationary transports in UTB SOI rpMOSFET
其他
2004-01-01
Du, G
;
Liu, XY
;
Xia, ZL
;
Han, RQ
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
IMPACT-IONIZATION MODEL
ELECTRON-TRANSPORT
Monte Carlo simulation of hole non-stationary transports in UTB SOI pMOSFET
其他
2004-01-01
Du, Gang
;
Liu, Xiaoyan
;
Xia, Zhiliang
;
Han, Ruqi
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOI NMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究
期刊论文
半导体学报, 2002
何进
;
张兴
;
黄如
;
王阳元
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/10/23
热载流子应力效应
界面陷阱
界面电荷R-G电流
栅控二极管
SOI NMOSFET
SOI-NMOS device
hot-carrier-effect
interfa
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