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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 限定条件 专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Resolved-sideband Raman cooling of an optical phonon in semiconductor materials 期刊论文 NATURE PHOTONICS, 2016 Zhang, Jun; Zhang, Qing; Wang, Xingzhi; Kwek, Leong Chuan; Xiong, Qihua 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/04 QUANTUM GROUND-STATE  CAVITY OPTOMECHANICS  LASER  MANIPULATION  OSCILLATOR  RESONATOR  SOLIDS  MOTION   Investigation of Hole Mobility in Strained InSb Ultrathin Body pMOSFETs 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2015 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Wei, Kangliang; Du, Gang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 Hole mobility  InSb  modeling  MOSFETs  scattering  self-consistent  six-band k . p  ultrathin body (UTB)  V COMPOUND SEMICONDUCTORS  INVERSION-LAYER MOBILITY  DEFORMATION POTENTIALS  SURFACE ORIENTATION  QUANTUM-WELLS  ON-INSULATOR  BAND  THICKNESS  PHYSICS   Hole mobility enhancements in strained InxGa1-xSb heterostructure p-channel MOSFETs 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 V COMPOUND SEMICONDUCTORS  ON-INSULATOR  SI  PHYSICS  ALLOYS  GE   Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain 其他 2015-01-01 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Surface orientation  Strain  Hole mobility  InSb  III-V semiconductor  Modeling  V COMPOUND SEMICONDUCTORS  DEFORMATION POTENTIALS  INVERSION-LAYERS   Hole mobility in InSb-based devices: Dependence on surface orientation, body thickness, and strain 期刊论文 44th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), 2015 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 Surface orientation  Strain  Hole mobility  InSb  III-V semiconductor  Modeling  V COMPOUND SEMICONDUCTORS  DEFORMATION POTENTIALS  INVERSION-LAYERS   Hole mobility enhancements in strained InxGa1-xSb heterostructure p-channel MOSFETs 其他 2015-01-01 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Zeng, Lang; Du, Gang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/04 V COMPOUND SEMICONDUCTORS  ON-INSULATOR  SI  PHYSICS  ALLOYS  GE   Intrinsic carrier mobility of Dirac cones: The limitations of deformation potential theory 期刊论文 journal of chemical physics, 2014 Li, Zhenzhu; Wang, Jinying; Liu, Zhirong 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/11 EMBEDDED GRAPHENE  ENERGY   Hole Mobility in InSb-Based Devices: Dependency on Surface Orientation, Body Thickness and Strain 其他 2014-01-01 Chang, Pengying; Zeng, Lang; Liu, Xiaoyan; Du, Gang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 Matching boundary conditions for diatomic chains 期刊论文 computational mechanics, 2010 Wang, Xianming; Tang, Shaoqiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/12 Multiscale computation  Matching boundary condition  Diatomic chain  Dispersion relation  Optical phonon  MOLECULAR-DYNAMICS SIMULATIONS  MULTISCALE COMPUTATIONS  INTERFACIAL CONDITIONS  SOLIDS