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科研机构
厦门大学 [21]
内容类型
期刊论文 [16]
学位论文 [5]
发表日期
2016 [1]
2014 [4]
2013 [7]
2012 [3]
2011 [4]
2009 [2]
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专题:厦门大学
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Ge表面等离子体改性及其在GOI和Al/n-Ge接触中的应用研究
学位论文
2016, 2016
赖淑妹
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浏览/下载:140/0
  |  
提交时间:2017/06/20
等离子体改性
亲水性
绝缘体上锗
Al/n-Ge接触
肖特基势垒
plasma modification
hydrophilicity
Germanium on Insulator
Al/n-Ge contact
Schottky barrier height
The study of temperature dependent strain in Ge epilayer with SiGe/Ge buffer layer on Si substrate with different thickness
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4884063, 2014
Wu, Po-Hung
;
Huang, Ying-Sheng
;
Hsu, Hung-Pin
;
Li, Cheng
;
Huang, Shi-Hao
;
Tiong, Kwong-Kau
;
李成
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/07/22
QUANTUM-WELL STRUCTURES
THERMAL-EXPANSION
ROOM-TEMPERATURE
ON-INSULATOR
WAVE-GUIDE
GERMANIUM
SILICON
SPECTROSCOPY
EDGE
GAAS
Non-homogeneous SiGe-on-insulator formed by germanium condensation process
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1088/1674-1056/23/4/048109, 2014
Huang, Shi-Hao
;
Li, Cheng
;
Lu, Wei-Fang
;
Wang, Chen
;
Lin, Guang-Yang
;
Lai, Hong-Kai
;
Chen, Song-Yan
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/07/22
Condensation
Germanium
Silicon alloys
Silicon on insulator technology
Transmission electron microscopy
绝缘体上锗(GOI)纳米带的制备及其应变机理研究
学位论文
2014, 2014
卢卫芳
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2016/01/12
张应变 GOI纳米带 有限元 全息光刻 氧化退火 压应变
tensile strain, GOI nano-belts, Finite, holography lithography, oxidation and annealing, compressively strain
Resonant cavity enhanced photoluminescence of tensile strained Ge/SiGe quantum wells on silicon-on-insulator substrate
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1007/s11801-014-4021-y, 2014
Chen, Li-qun
;
Chen, Yang-hua
;
Li, Cheng
;
李成
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/07/22
Cavity resonators
Chemical vapor deposition
Germanium
Interfaces (materials)
Photoluminescence
Silicon
Silicon on insulator technology
Substrates
A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013
Huang, Shihao
;
Lu, Weifang
;
Li, Cheng
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
李成
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2013/12/12
THERMAL-EXPANSION
SILICON
GE
SUBSTRATE
FILMS
OPTOELECTRONICS
GAIN
MASS
A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013
Huang, Shihao
;
Lu, Weifang
;
Li, Cheng
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
李成
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2015/07/22
THERMAL-EXPANSION
SILICON
GE
SUBSTRATE
FILMS
OPTOELECTRONICS
GAIN
MASS
A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on- insulator with large tensile strain for Si-based light emission
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013
Huang, Shihao
;
Lu, Weifang
;
Li, Cheng
;
Huang, Wei
;
Lai, Hongkai
;
Chen, Songyan
;
李成
;
赖虹凯
;
陈松岩
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2015/07/22
Germanium
Photoluminescence
Silica
Silicon
绝缘层上Ge (GOI)材料及Si基Ge波导型探测器研究
学位论文
2013, 2013
阮育娇
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2016/01/13
Germanium on Insulator
Wafer bonding
Smart-cut
Phosphorus implantation doping in Ge
Ohmic contact formation on n-type Ge
Ge waveguide photodetector
GOI材料
晶片键合
智能剥离
Ge中磷的注入掺杂
n-Ge的欧姆接触
Ge波导型探测器
GOI衬底制备和Al/n+-Ge欧姆接触研究
学位论文
2013, 2013
林旺
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2016/01/13
Al/n+-Ge接触
绝缘体上的锗
抛光
Al/n+-Ge contacts
germanium-on-insulator (GOI)
polishing
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