| 题名 | 绝缘层上Ge (GOI)材料及Si基Ge波导型探测器研究; Research on Germanium-on-insulator (GOI) material and Si-based Ge waveguide photodetector |
| 作者 | 阮育娇 |
| 答辩日期 | 2013 ; 2013 |
| 导师 | 陈松岩 |
| 关键词 | Germanium on Insulator Wafer bonding Smart-cut Phosphorus implantation doping in Ge Ohmic contact formation on n-type Ge Ge waveguide photodetector GOI材料 晶片键合 智能剥离 Ge中磷的注入掺杂 n-Ge的欧姆接触 Ge波导型探测器 |
| 英文摘要 | 绝缘层上锗（Germanium-on-Insulator，GOI）由于结合了Ge材料及SOI材料各自的优点，是近年来兴起的、极具吸引力的Si基新型材料。GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率，在通信波段有较高吸收系数，同时能够很好地解决体Ge材料在器件中的不足，从而在微电子和光电集成方面具有广阔的应用前景。基于GOI材料的波导型探测器，由于集合了GOI的优良特性及波导型结构的优势，能够同时实现高量子效率和高带宽，从而有效提高探测器性能。因此，开展GOI材料的制备及Ge波导型探测器的研制工作具有重要的意义。本文利用智能剥离技术结合键合方法制备了GOI材料，研究其材料特性，并开展了Si基Ge波导型...; Germanium-on -Insulator (GOI), which combines the merits of Ge and SOI, is gaining interest as a newly emerged Si-based material. Besides the much higher carrier mobility and its favourable absorption coefficient in the near infrared wavelength regime (1.3~1.55 μm), the ability of overcoming potentially fatal flaws in bulk Ge devices is another practical advantage of GOI. Thus, GOI can be widely u...; 学位：工学博士; 院系专业：物理与机电工程学院_微电子学与固体电子学; 学号：19820090153671 |
| 语种 | zh_CN |
| 出处 | http://210.34.4.13:8080/lunwen/detail.asp?serial=41476 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://dspace.xmu.edu.cn/handle/2288/79110]  |
| 专题 | 物理技术－学位论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阮育娇. 绝缘层上Ge (GOI)材料及Si基Ge波导型探测器研究, Research on Germanium-on-insulator (GOI) material and Si-based Ge waveguide photodetector[D]. 2013, 2013. |
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