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High Power (27 W) Semiconductor Disk Laser Based on Pre-Metalized Diamond Heat-Spreader
期刊论文
IEEE Photonics Journal, 2019, 卷号: 11, 期号: 2
作者:
G.-Y.Hou
;
S.-L.Shu
;
J.Feng
;
A.Popp
;
B.Schmidt
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2020/08/24
Semiconductor lasers,Binary alloys,Copper alloys,Diamonds,Heat resistance,Heating equipment,Mergers and acquisitions,Metallizing
The vacuum system of the China spallation neutron source
期刊论文
VACUUM, 2018, 卷号: 154, 页码: 75-81
作者:
Liu SH(刘盛画)
;
Tan B(谭彪)
;
Ma YS(马永胜)
;
Sun, XY
;
Liu SM(刘顺明)
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/09/24
Spallation neutron source
Vacuum system
Ceramic vacuum chamber
Titanium nitride (TiN)
Secondary electron yield (SEY)
ABS plastic metallization through UV covalent grafting and layer-by-layer deposition (EI收录)
期刊论文
Surface and Coatings Technology, 2017, 卷号: 328, 页码: 63-69
作者:
Chen, Dexin[1]
;
Kang, Zhixin[1]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/04/24
ABS resins
Adhesion
Coatings
Grafting (chemical)
Metallizing
Metals
Plastic coatings
Reducing agents
Silver
Tough bonding of metallic layers to hydrocarbon surfaces by depositing Ag films (EI收录)
期刊论文
RSC Advances, 2016, 卷号: 6, 页码: 72256-72262
作者:
Chen, Dexin[1]
;
Kang, Zhixin[1]
;
Bessho, Takeshi[2]
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/04/24
Chemical activation
Electromagnetic shielding
Electronics industry
Hydrocarbons
Metallizing
Metals
Palladium
Plastic coatings
Plating
Topography
Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:
Wang C
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浏览/下载:69/3
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提交时间:2011/07/05
Hydrogenated nanocrystalline silicon
Buffer layer
i/p interface
Solar cells
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
A-SI-H
P/I-INTERFACE
MICROCRYSTALLINE SILICON
VAPOR-DEPOSITION
FILMS
CAPACITANCE
EFFICIENCY
CRYSTALLINE
TEMPERATURE
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:
Li MF
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浏览/下载:106/7
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提交时间:2011/07/05
molecular beam epitaxy
anti-phase domain
GaAs/Ge interface
CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
JUNCTION SOLAR-CELLS
DOMAIN-FREE GROWTH
TEMPERATURE
QUALITY
FUTURE
Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:66/3
  |  
提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
收藏
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浏览/下载:89/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:
Shi K
;
Jiao CM
;
Song HP
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浏览/下载:94/7
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提交时间:2011/07/05
Valence band offset
GaN/diamond heterojunction
XPS
Conduction band offset
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ALGAN/GAN HEMTS
DIAMOND
GAN
FILMS
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