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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Attainment of dual-band edge work function by using a single metal gate and single high-k dielectric via ion implantation for HP CMOS device 期刊论文 Solid-State Electronics, 2016 作者:  Xu GB(许高博);  Zhou HJ(周华杰);  Zhu HL(朱慧珑);  Liu JB(刘金彪);  Wang Y(王垚) 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/05/09 Effect of implanted species on thermal evolution of ion-induced defects in ZnO 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2014, 卷号: 115, 期号: 7 Azarov, AY; Hallen, A; Du, XL; Rauwel, P; Kuznetsov, AY; Svensson, BG 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/04/14 Boron diffusion in ge+ premorphized and bf2+ implanted si(001) 期刊论文 Revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 页码: 85-88 作者:  Zou, LF;  Acosta-Ortiz, SE;  Zou, LX;  Regalado, LE;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Diffusion  Implantation  Ge ion  Bf2 ion   Boron diffusion in Ge+ premorphized and BF2+ implanted Si(001) 期刊论文 revista mexicana de fisica, 1998, 卷号: 44, 期号: 0, 页码: 85-88 Zou LF; Acosta-Ortiz SE; Zou LX; Regalado LE; Sun DZ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 diffusion  implantation  Ge ion  BF2 ion  ION-IMPLANTATION  REGROWTH  SILICON  LAYERS  ELECTRICAL-PROPERTIES   BaF＿2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响 期刊论文 物理学报, 1994, 期号: 10 陶振兰; 王震遐; 朱福英; 章骥平; 潘冀生; 周祖尧; 沈定中; 袁湘龙; 华素坤 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2013/01/23 REDUCTION OF SECONDARY DEFECTS IN BF, IMPLANTED SI(100) BY ION-BEAM DEFECT ENGINEERING 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 1994, 卷号: 64, 期号: 2, 页码: 175 ZHAO, QT; WANG, ZI; XU, TB; ZHU, PR; ZHOU, JS 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/09/24 SILICON  ENERGY   REDUCTION OF SECONDARY DEFECTS IN BF, IMPLANTED SI(100) BY ION-BEAM DEFECT ENGINEERING 期刊论文 应用物理学快报, 1994 ZHAO, QT; WANG, ZI; XU, TB; ZHU, PR; ZHOU, JS 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/10 SILICON  ENERGY