BaF＿2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响

CORC > 上海应用物理研究所 > 中国科学院上海应用物理研究所 > 中科院上海原子核所2003年前

	BaF＿2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响
	陶振兰 ; 王震遐 ; 朱福英 ; 章骥平 ; 潘冀生 ; 周祖尧 ; 沈定中 ; 袁湘龙 ; 华素坤
刊名	物理学报
	1994-10-30
期号	10
中文摘要	２７ｋｅＶＡｒ￣＋离子束沿法向分别入射在ＢａＦ＿２单晶（１１１）;（１００）和（１１０）的晶面上;用捕获器方法和Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射分析法测定了Ｂａ原子的溅射角分布和溅射产额。结果发现不同取向的晶体表面;它们的溅射产额有明显差异。当用剂量为５×１０￣１７ｉｏｎ／ｃｍ的Ａｒ￣＋离子分别轰击这三种晶面时;其溅射产额的顺序Ｙ＿（１００）＞ｙ＿（１１１）＞ｙ＿（１１０）．对已被上述剂量辐照过的晶面再作相同剂量轰击时;测得的溅射产额明显增大。这些结果被认为是由于在离子辐照过程中表面晶格受损逐步增大所致。
收录类别	CNKI
语种	中文
公开日期	2013-01-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sinap.ac.cn/handle/331007/10872]
专题	上海应用物理研究所_中科院上海原子核所2003年前
推荐引用方式 GB/T 7714	陶振兰,王震遐,朱福英,等. BaF＿2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响[J]. 物理学报,1994(10).
APA	陶振兰.,王震遐.,朱福英.,章骥平.,潘冀生.,...&华素坤.(1994).BaF＿2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响.物理学报(10).
MLA	陶振兰,et al."BaF＿2晶体的取向和入射束的剂量对溅射的影响".物理学报 .10(1994).