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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Theoretical Analysis of Buffer Trapping Effects on off-State Breakdown between Gate and Drain in A1GaN/GaN HEMTs 其他 2016-01-01 Zhu, Lin; Wang, Jinyan; Jiang, Haisang; Wang, Hongyue; Wu, Wengang; Zhou, Yang; Dai, Gang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 AlGaN/GaN HEMT  deep-level acceptor trap  depletion length  off-state breakdown  gate-to-drain spacing  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  IMPACT IONIZATION  GAN   Analysis of the influence of contact position to the ESD protection ability in Ggnmos device 其他 2011-01-01 Zhang, Peng; Wang, Yuan; Jia, Song; Zhang, Xing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 Predictive modeling of capacitance and resistance in gate-all-around cylindrical nanowire MOSFETs for parasitic design optimization 其他 2010-01-01 Xu, Qiumin; Zou, Jibin; Luo, Jieyin; Wang, Runsheng; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13