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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Theoretical Analysis of Buffer Trapping Effects on off-State Breakdown between Gate and Drain in A1GaN/GaN HEMTs 其他 2016-01-01 Zhu, Lin; Wang, Jinyan; Jiang, Haisang; Wang, Hongyue; Wu, Wengang; Zhou, Yang; Dai, Gang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 AlGaN/GaN HEMT  deep-level acceptor trap  depletion length  off-state breakdown  gate-to-drain spacing  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS  IMPACT IONIZATION  GAN