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Insight into PBTI in InGaAs Nanowire FETs with Al2O3 and LaAlO3 Gate Dielectrics 其他
2016-01-01
Li, Y.; Di, S. Y.; Jiang, H.; Huang, P.; Wang, Y. J.; Lun, Z. Y.; Shen, L.; Yin, L. X.; Zhang, X.; Du, G.; Liu, X. Y.
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03
EFFECT OF TIME AND TEMPERATURE ON EPITAXY GROWTH 其他
2016-01-01
Aanand; Sheu, Gene; Yang, Shao-Ming; Lai, Ciou-Jhong; Imam, Syed Sarwar
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03
Reliability simulation of TMO RRAM 其他
2015-01-01
Liu, Xiaoyan; Huang, Peng; Gao, Bin; Li, Haitong; Zhao, Yudi; Kang, Jinfeng
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03
Simulation of TaOX-RRAM with Ta2O5-X/TaO2-X Stack Engineering 其他
2015-01-01
Zhao, Y. D.; Huang, P.; Chen, Z.; Liu, C.; Li, H. T.; Ma, W. J.; Gao, B.; Liu, X. Y.; Kang, J. F.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03
Formation energy study of oxygen vacancies in undoped, aluminum-doped and nitrogen-doped TaOx-based RRAM by first principle simulation 其他
2014-01-01
Deng, Haopei; Cai, Yimao; Yu, Muxi; Huang, Ru
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13
Multilevel Set/Reset Switching Characteristics in Al/CeOx/Pt RRAM Devices 其他
2012-01-01
Liu, L. F.; Hou, Y.; Yu, D.; Chen, B.; Gao, B.; Tian, Y.; Han, D. D.; Wang, Y.; Kang, J. F.; Zhang, X.
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13
A Physical Based Analytic Model of RRAM Operation for Circuit Simulation 其他
2012-01-01
Huang, P.; Liu, X. Y.; Li, W. H.; Deng, Y. X.; Chen, B.; Lu, Y.; Gao, B.; Zeng, L.; Wei, K. L.; Du, G.; Zhang, X.; Kang, J. F.
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13
Oxide-Based RRAM: A Novel Defect-Engineering-Based Implementation For Multilevel Data Storage 其他
2012-01-01
Kang, J. F.; Gao, B.; Chen, B.; Liu, L. F.; Liu, X. Y.; Yu, H. Y.; Wang, Z. R.; Yu, B.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13
Oxide-Based RRAM: Unified Microscopic Principle for both Unipolar and Bipolar Switching 其他
2011-01-01
Gao, B.; Kang, J. F.; Chen, Y. S.; Zhang, F. F.; Chen, B.; Huang, P.; Liu, L. F.; Liu, X. Y.; Wang, Y. Y.; Tran, X. A.; Wang, Z. R.; Yu, H. Y.; Chin, Albert
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13
Highly uniform resistive switching characteristics of TiN/ZrO2/Pt memory devices 其他
2009-01-01
Sun, B.; Liu, Y. X.; Liu, L. F.; Xu, N.; Wang, Y.; Liu, X. Y.; Han, R. Q.; Kang, J. F.
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10

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