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Study of impact of LATID on HCI reliability for LDMOS devices
其他
2016-01-01
Chandrashekhar
;
Sheu, Gene
;
Yang, Shao Ming
;
Chien, Ting Yao
;
Lin, Yun Jung
;
Wu, Chieh Chih
;
Lee, Tzu Chieh
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2017/12/03
HOT-CARRIER RELIABILITY
DEGRADATION
TRANSISTORS
MOSFET
Germanium doping and impurities analysis on industrial scale mc-silicon ingot
其他
2012-01-01
Li, Shuai
;
Wu, Peng
;
Zhao, Baitong
;
Gao, Wenxiu
;
高文秀
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2015/07/22
Carbon
Doping (additives)
Germanium
Industrial engineering
Industry
Ingots
Nanostructured materials
Oxygen
Quartz
Sintering
Solar cells
Study of 20nm bulk FINFET by using 3D full band Monte Carlo method with effective potential quantum correction
其他
2010-01-01
Du, Gang
;
Zhang, Wei
;
Wang, Juncheng
;
Lu, Tiao
;
Zhang, Pingwen
;
Liu, Xiaoyan
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
A complete carrier-based non-charge-sheet analytic theory for nano-scale undoped surrounding-gate MOSFETs
其他
2006-01-01
He, Jin
;
Zhang, Xing
;
Zhang, Ganggang
;
Chan, Mansun
;
Wang, Yangyuan
收藏
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2015/11/13
A complete carrier-based non-charge-sheet analytic model for nano-scale undoped symmetric double-gate MOSFETs
其他
2006-01-01
He, Jin
;
Xing, Zhang
;
Wang, Yangyuan
收藏
  |  
浏览/下载:2/0
  |  
提交时间:2015/11/13
A complete carrier-based non-charge-sheet analytic model for nano-scale undoped symmetric double-gate MOSFETs
其他
2005-01-01
He, Jin
;
Xing, Zhang
;
Wang, Yangyuan
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2015/11/13
non-classical MOSFETs
non-charge-sheet
device physics
compact modeling
double-gate MOSFET
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