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The Increased Single-Event Upset Sensitivity of 65-nm DICE SRAM Induced by Total Ionizing Dose 会议论文
Geneva, SWITZERLAND, OCT 02-06, 2017
作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie
收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/10/08
A comparison of heavy ion induced single event upset susceptibility in unhardened 6T/SRAM and hardened ADE/SRAM 会议论文
作者:  Yan, Weiwei;  Wang, Bin;  Zeng, Chuanbin;  Geng, Chao;  Liu, Tianqi
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2018/08/20
High Noise Margin 12T Subthreshold SRAM cell with Enhanced Read Speed and Eliminated Half-selected Problem 会议论文
作者:  Chen LM(陈黎明);  Cai JZ(蔡江铮);  Yuan J(袁甲)
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/18
memristors for neural branch prediction: a case study in strict latency and write endurance challenges 会议论文
2013 ACM International Conference on Computing Frontiers, CF 2013, Ischia, Italy, May 14, 2013 - May 16, 2013
Saadeldeen Hebatallah; Franklin Diana; Long Guoping; Hill Charlotte; Browne Aisha; Strukov Dmitri; Sherwood Timothy; Chong Frederic T.
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/22
The Design of Low Leakage SRAM Cell with High SNM 会议论文
中国, 2012
作者:  Yan H(闫浩)
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2021/09/30
一种基于部分耗尽SOI COMS技术的辐射加固SRAM存储单元设计 会议论文
作者:  王一奇;  李莹;  赵发展;  刘梦新;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2015/09/07
The Design of Low Leakage SRAM Cell with High SNM 会议论文
中国, 2011
作者:  Yan H(闫浩)
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/09/29
Design of a novel 8-port memory cell 会议论文
作者:  Chang, Jian;  Man, K.L.;  Lim, Enggee
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/10
Research of SBB Effect on SOI-MOSFET Low Power 4T SRAM Cell 会议论文
作者:  Ma, Zhuang;  Yu, Sichen;  Shao, Zhibiao
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/18

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