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| Research of Optimal Parameters in MOSFET Structure based on Wide Band Gap Semiconductor Material GaN 会议论文
28th Chinese Control and Decision Conference, 2016-01-01
作者: Shen, Hongyuan[1]; Yang, Jie[2]
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| EMI Modeling and Experiment of a GaN Based LLC Half-Bridge Converter 会议论文
作者: Tian, Mofan; Hao, Yuan; Wang, Kangping; Xuan, Yang; Huang, Lang
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/02
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| GaN场效应晶体管的器件隔离技术 会议论文
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议, 苏州, 2015-10-30
作者: 江滢; 敖金平; 王德君
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/09
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| GaN MOSFET with Boron Trichloride-Based Dry Recess Process 会议论文
11th APCPST (Asia Pacific Conference on Plasma Science and Technology)
作者: Wang DJ(王德君)
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/18 |
| Influence of Dry Recess Process on Enhancement-mode GaN MOSFET 会议论文
4th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials
作者: Wang DJ(王德君)
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/18 |
| 干法刻蚀对增强型GaN MOSFET的影响 会议论文
59th JSAP spring meeting
作者: 王德君
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/18 |
