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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文 10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 OPTICAL-ABSORPTION  ZNS-TE  TRANSITION  EDGE   Large excitation-power dependence of pressure coefficients of InxGa1-xN/InyGa1-yN quantum wells 会议论文 10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002 Li Q; Fang ZL; Xu SJ; Li GH; Xie MH; Tong SY; Zhang XH; Liu W; Chua SJ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 PIEZOELECTRIC FIELD  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE   Type I-type II transition of self-assembled In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As quantum dots 会议论文 9th international conference on high pressure semiconductor physics (hpsp9), sapporo, japan, sep 24-28, 2000 Li GH; Chen Y; Fung ZL; Ding K; Han HX; Zhou W; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15 HYDROSTATIC-PRESSURE  PHOTOLUMINESCENCE  GAAS  LUMINESCENCE  GROWTH  INSB  GASB   Pressure behavior of deep centers in ZnSxTe1-x alloys 会议论文 8th international conference on high pressure semiconductor physics (hpsp-viii), thessaloniki, greece, aug 09-13, 1998 Liu NZ; Li GH; Zhang W; Zhu ZM; Han HX; Wang ZP; Ge WK; Sou IK 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 ABSORPTION-EDGE  STRAINS  ZNS   Formation mechanism of electric field domains 会议论文 2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/15 electric field domains  Gamma-Gamma resonant tunnelling  Gamma-X resonant tunnelling