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科研机构
西安光学精密机械研... [15]
内容类型
专利 [15]
发表日期
2015 [1]
2014 [1]
2013 [1]
2012 [2]
2010 [1]
2006 [1]
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75
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LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer
专利
专利号: US9159869, 申请日期: 2015-10-13, 公开日期: 2015-10-13
作者:
CHEN, ZHEN
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/24
Nitride semiconductor structure
专利
专利号: US8652918, 申请日期: 2014-02-18, 公开日期: 2014-02-18
作者:
STRITTMATTER, ANDRE
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/24
Enhanced planarity in GaN edge emitting lasers
专利
专利号: US8355422, 申请日期: 2013-01-15, 公开日期: 2013-01-15
作者:
BHAT, RAJARAM
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/26
Semi-polar nitride-based light emitting structure and method of forming same
专利
专利号: US8330144, 申请日期: 2012-12-11, 公开日期: 2012-12-11
作者:
STRITTMATTER, ANDRE
;
JOHNSON, NOBLE M.
;
TEEPE, MARK
;
CHUA, CHRISTOPHER L.
;
YANG, ZHIHONG
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/24
Vicinal semipolar iii-nitride substrates to compensate tilt of relaxed hetero-epitaxial layers
专利
专利号: WO2012058262A3, 申请日期: 2012-06-21, 公开日期: 2012-06-21
作者:
SPECK, JAMES S.
;
TYAGI, ANURAG
;
ROMANOV, ALEXEY E.
;
NAKAMURA, SHUJI
;
DENBAARS, STEVEN P.
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/31
Semiconductor laser diode
专利
专利号: US7843980, 申请日期: 2010-11-30, 公开日期: 2010-11-30
作者:
OHTA, HIROAKI
;
OKAMOTO, KUNIYOSHI
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/13
Technique to grow high quality ZnSe epitaxy layer on Si substrate
专利
专利号: US7071087, 申请日期: 2006-07-04, 公开日期: 2006-07-04
作者:
YANG, TSUNG-HSI
;
LEE, CHUNG-LIANG
;
YANG, CHU-SHOU
;
LUO, GUANGLI
;
CHOU, WU-CHING
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/24
Dislocation reduction in non-polar gallium nitride thin films
专利
专利号: US6900070, 申请日期: 2005-05-31, 公开日期: 2005-05-31
作者:
CRAVEN, MICHAEL D.
;
DENBAARS, STEVEN P.
;
SPECK, JAMES STEPHEN
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/24
Optical IC
专利
专利号: JP1986042982A, 申请日期: 1986-03-01, 公开日期: 1986-03-01
作者:
NAKAO ICHIRO
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2020/01/13
ZnO group epitaxial semiconductor device and its manufacture
专利
专利号: US20060170013A1, 公开日期: 2006-08-03
作者:
KATO, HIROYUKI
;
MIYAMOTO, KAZUHIRO
;
SANO, MICHIHIRO
;
YAO, TAKAFUMI
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/26
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