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III-V nitride substrate boule and method of making and using the same 专利
专利号: US7915152, 申请日期: 2011-03-29, 公开日期: 2011-03-29
作者:  VAUDO, ROBERT P.;  FLYNN, JEFFREY S.;  BRANDES, GEORGE R.;  REDWING, JOAN M.;  TISCHLER, MICHAEL A.
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EL semiconductor device 专利
专利号: US7899104, 申请日期: 2011-03-01, 公开日期: 2011-03-01
作者:  KISHINO, KATSUMI;  NOMURA, ICHIRO;  ASATSUMA, TSUNENORI;  TASAI, KUNIHIKO;  TAMAMURA, KOSHI
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Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control 专利
专利号: US7781244, 申请日期: 2010-08-24, 公开日期: 2010-08-24
作者:  ITO, SHIGETOSHI;  YUASA, TAKAYUKI;  UETA, YOSHIHIRO;  TANEYA, MOTOTAKA;  TANI, ZENPEI
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Tuneable photonic crystal lasers and a method of fabricating the same 专利
专利号: US6711200, 申请日期: 2004-03-23, 公开日期: 2004-03-23
作者:  SCHERER, AXEL;  PAINTER, OSKAR
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Group III-V nitride laser devices with cladding layers to suppress defects such as cracking 专利
专利号: US6455337, 申请日期: 2002-09-24, 公开日期: 2002-09-24
作者:  SVERDLOV, BORIS N.
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Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderlaser. 专利
专利号: NL194568C, 申请日期: 2002-07-02, 公开日期: 2002-07-02
作者:  TAE KYUNG YOO;  JONG SEOK KIM
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Compound semiconductor device based on gallium nitride 专利
专利号: US6388275, 申请日期: 2002-05-14, 公开日期: 2002-05-14
作者:  KANO, TAKASHI
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Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction 专利
专利号: US5831295, 申请日期: 1998-11-03, 公开日期: 1998-11-03
作者:  HUANG, JENN-HWA;  TEHRANI, SAIED N.
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光半導体装置 专利
专利号: JP2804093B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-24
作者:  茂木 直人;  平原 奎治郎
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- 专利
专利号: JP1993087997B2, 申请日期: 1993-12-20, 公开日期: 1993-12-20
作者:  YONEYAMA OSAMU;  OKADA TSUNEICHI;  MAMINE TAKAYOSHI
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