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Iii-nitride tunnel junction light emitting diode with wall plug efficiency of over seventy percent 专利
专利号: US20190165213A1, 申请日期: 2019-05-30, 公开日期: 2019-05-30
作者:  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.;  SPECK, JAMES S.;  DENBAARS, STEVEN P.;  NAKAMURA, SHUJI
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Thin film and substrate-removed group III-nitride based devices and method 专利
专利号: US10249786, 申请日期: 2019-04-02, 公开日期: 2019-04-02
作者:  BATRES, MAX;  YANG, ZHIHONG;  WUNDERER, THOMAS
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Semiconductor multilayer film reflecting mirror, vertical cavity light-emitting element using the reflecting mirror, and methods for manufacturing the reflecting mirror and the element 专利
专利号: EP3336981A1, 申请日期: 2018-06-20, 公开日期: 2018-06-20
作者:  TAKEUCHI, TETSUYA;  AKASAKI, ISAMU;  AKAGI, TAKANOBU
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Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device 专利
专利号: US20180083173A1, 申请日期: 2018-03-22, 公开日期: 2018-03-22
作者:  YAMAMOTO, SHUHICHIROH;  UETA, YOSHIHIRO
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Contact architectures for tunnel junction devices 专利
专利号: WO2018035322A1, 申请日期: 2018-02-22, 公开日期: 2018-02-22
作者:  YONKEE, BENJAMIN P.;  YOUNG, ERIN C.;  FORMAN, CHARLES;  LEONARD, JOHN T.;  LEE, SEUNGGEUN
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Nitride semiconductor light emitting device 专利
专利号: US20160036197A1, 申请日期: 2016-02-04, 公开日期: 2016-02-04
作者:  KAWAGUCHI, YOSHINOBU;  KAMIKAWA, TAKESHI
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Preparation of interdigitated back contact solar cell involves forming suede trap structure on silicon wafer, doping, polishing, forming emitter region, printing aluminum paste, oxidizing, forming silicon nitride layer and sintering. 专利
申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-09-21
作者:  LI P LIU A WEI Y
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Devices having removed aluminum nitride sections 专利
专利号: US9064980, 申请日期: 2015-06-23, 公开日期: 2015-06-23
作者:  CHUA, CHRISTOPHER L.;  KRUSOR, BRENT S.;  WUNDERER, THOMAS;  JOHNSON, NOBLE M.
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Manufacture of purified aluminum nitride powder involves adding alumina in high-energy ball milling tank, ball milling, removing aluminum oxide powder, adding carbon black, mixing, heating, cooling, removing carbon, heating and cooling. 专利
申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014-08-20
作者:  DAI L LIU Z WANG W YANG D WANG S ZH
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Nitride semiconductor light-emitting device 专利
专利号: US8437376, 申请日期: 2013-05-07, 公开日期: 2013-05-07
作者:  YOSHIDA, SHINJI;  ORITA, KENJI;  HASEGAWA, YOSHIAKI;  MOCHIDA, ATSUNORI
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