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Ce:YAG/Al2O3 COMPOSITES FOR LASER-EXCITED SOLID-STATE WHITE LIGHTING 专利
专利号: US20190264100A1, 申请日期: 2019-08-29, 公开日期: 2019-08-29
作者:  COZZAN, CLAYTON J.;  DENBAARS, STEVEN P.;  SESHADRI, RAM
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Semiconductor modification process for conductive and modified electrical regions and related structures 专利
专利号: US10211371, 申请日期: 2019-02-19, 公开日期: 2019-02-19
作者:  BONAR, JAMES RONALD;  VALENTINE, GARETH;  GORTON, STEPHEN WARREN;  GONG, ZHENG;  SMALL, JAMES
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PERANTI LASER YANG TERDIRI DARI SEJUMLAH MODUL LASER, YANG MASING-MASING MENGHASILKAN SATU GARIS, GARIS-GARIS TERSEBUT TUMPANG TINDIH DENGAN OFSET PADA ARAH LEBAR 专利
专利号: ID201808359A, 申请日期: 2018-08-03, 公开日期: 2018-08-03
作者:  DESBOEUFS, NICOLAS;  MIMOUN, EMMANUEL;  DUBOST, BRICE;  CANOVA, LORENZO
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Laser apparatus comprising a plurality of laser modules, each generating one line, the lines overlapping with an offset in the widthwise direction 专利
专利号: CA2995655A1, 申请日期: 2017-03-02, 公开日期: 2017-03-02
作者:  DUBOST, BRICE;  MIMOUN, EMMANUEL;  CANOVA, LORENZO;  DESBOEUFS, NICOLAS
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Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing 专利
专利号: US20160372649A1, 申请日期: 2016-12-22, 公开日期: 2016-12-22
作者:  BERNHARDT, MICHAEL J.
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Multi-stage ramp-up annealing for frequency-conversion crystals 专利
专利号: US9413134, 申请日期: 2016-08-09, 公开日期: 2016-08-09
作者:  DRIBINSKI, VLADIMIR;  CHUANG, YUNG-HO ALEX;  ARMSTRONG, J. JOSEPH
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Selective layer disordering in III-nitrides with a capping layer 专利
专利号: US9368677, 申请日期: 2016-06-14, 公开日期: 2016-06-14
作者:  WIERER, JR., JONATHAN J.;  ALLERMAN, ANDREW A.
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Gallium nitride wafer substrate for solid state lighting devices, and associated systems and methods 专利
专利号: US20150221832A1, 申请日期: 2015-08-06, 公开日期: 2015-08-06
作者:  LOCHTEFELD, ANTHONY;  MARCHAND, HUGUES
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Laser annealing apparatus and laser annealing method 专利
专利号: US20150060421A1, 申请日期: 2015-03-05, 公开日期: 2015-03-05
作者:  TAMI, YOSHIHARU;  SOGA, KAZUHIRO;  OGINO, YOSHIAKI
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Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利
专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
作者:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO
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