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Efficient bipolar AIE emitters for high-performance nondoped OLEDs
期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 8, 期号: 34, 页码: 11771-11777
作者:
Zhang, Jiasen
;
Bai, Yongqi
;
Wei, Qiang
;
Cao, Liang
;
Wang, Tao
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浏览/下载:119/0
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提交时间:2020/12/16
AGGREGATION-INDUCED EMISSION
ACTIVATED DELAYED FLUORESCENCE
ROLL-OFF
BLUE
RED
DESIGN
GREEN
Electrochemical mechanism of ion current rectification of polyelectrolyte gel diodes
期刊论文
NATURE COMMUNICATIONS, 2014, 卷号: 5, 期号: -, 页码: 4162
作者:
Yamamoto, T
;
Doi, M
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/06/03
MULTISCALE PHYSICAL MODEL
WATER ELECTROLYZER
TRANSIENT ANALYSIS
BIPOLAR MEMBRANES
ELECTRIC-FIELDS
GENERATION
TRANSISTORS
TRANSPORT
NANOPORES
COLLAPSE
3d simulation of heavy ion induced charge collection of single event effects in sige heteroj unction bipolar transistor
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2013, 卷号: 62, 期号: 4, 页码: -
作者:
Zhang Jin-Xin
;
Guo Hong-Xia
;
Guo Qi
;
Wen Lin
;
Cui Jiang-Wei
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2013/11/07
SiGe heterojunction bipolar transistor
single event effect
charge collection
three-dimensional numerical simulation
On the Galactic Center being the main source of galactic cosmic rays as evidenced by recent cosmic ray and gamma ray observations
期刊论文
NEW JOURNAL OF PHYSICS, 2013, 卷号: 15, 页码: 13053
作者:
Guo YQ(郭义庆)
;
Feng CY(冯朝阳)
;
Yuan Q(袁强)
;
Liu C(刘成)
;
胡红波;Guo, YQ
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2016/04/08
Use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 7, 页码: -
作者:
Xi Shan-Bin
;
Lu Wu
;
Wang Zhi-Kuan
;
Ren Di-Yuan
;
Zhou Dong
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2012/11/29
subthreshold-current technique
gate control
lateral pnp bipolar transistor
charge separation
Quantitative separation of radiation induced charges for gate controlled later PNP bipolar transistors
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 23, 页码: 374-380
作者:
Xi Shan-Bin
;
Lu Wu
;
Ren Di-Yuan
;
Zhou Dong
;
Wen Lin
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/11/07
gate sweep technique
gate control
lateral PNP bipolar transistor
charge separation
Comparison of the performance for InAlAs/GaSbAs/InP DHBT and InP/GaSbAs/InP DHBT
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2012, 卷号: 61, 期号: 12, 页码: 128501
Zhou, SL
;
Wan-Chun, Y
;
Hong-Liang, R
;
Jia, L
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2013/04/17
InAlAs/GaSbAs
InP/GaSbAs
II-type DHBT
Effects of orientation of substrate on the enhanced low-dose-rate sensitivity (ELDRS) in NPN transistors
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2011, 卷号: 35, 期号: 2, 页码: 169-173
作者:
Lu Wu
;
Zheng Yu-Zhan
;
Wang Yi-Yuan
;
Ren Di-Yuan
;
Guo Qi
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/11/29
NPN bipolar junction transistors
(60)Co-gamma irradiation
ELDRS
orientation of substrate
Degradation and dose rate effects of bipolar linear regulator on ionizing radiation
期刊论文
ACTA PHYSICA SINICA, 2011, 卷号: 60, 期号: 9, 页码: -
作者:
Wang Yi-Yuan
;
Lu Wu
;
Ren Di-Yuan
;
Guo Qi
;
Yu Xue-Feng
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2012/11/29
bipolar linear regulators
total ionizing dose
dose rate effect
radiation damage
Ionizing radiation effect on 10-bit bipolar A/D converter
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2010, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 152-156
作者:
Chen Rui
;
Lu Wu
;
Ren Diyuan
;
Zheng Yuzhan
;
Wang Yiyuan
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/11/29
Bipolar Analog to Digital converters
(60)Co gamma Radiation
ELDRS
Bias condition
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