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科研机构
上海微系统与信息技术... [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2010 [1]
2001 [3]
学科主题
Physics, A... [4]
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学科主题:Physics, Applied
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Dynamic annealing versus thermal annealing effects on the formation of hydrogen-induced defects in silicon
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2010, 卷号: 97, 期号: 19, 页码: 194101-194101
Di, ZF
;
Huang, MQ
;
Wang, YQ
;
Nastasi, M
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
SINGLE-CRYSTAL SILICON
INDUCED PLATELETS
IMPLANTATION
SI
TEMPERATURE
EXFOLIATION
COMPLEXES
FLUENCE
CUT
Defect and strain in hydrogen and helium coimplanted single-crystal silicon
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 5-11
Duo, XZ
;
Liu, WL
;
Xing, S
;
Zhang, M
;
Fu, XR
;
Lin, CL
;
Hu, PG
;
Wang, SX
;
Wang, LM
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
INDUCED EXFOLIATION
MECHANISM
CAVITIES
AU
Comparison between the different implantation orders in H+ and He+ coimplantation
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 34, 期号: 4, 页码: 477-482
Duo, XZ
;
Liu, WL
;
Zhang, MA
;
Wang, LW
;
Lin, CL
;
Okuyama, M
;
Noda, M
;
Cheung, WY
;
Chu, PK
;
Hu, PG
;
Wang, SX
;
Wang, LM
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2012/03/24
POSITRON-ANNIHILATION
INDUCED DEFECTS
SILICON
EXFOLIATION
MECHANISM
CAVITIES
AU
Evolution of hydrogen and helium co-implanted single-crystal silicon during annealing
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2001, 卷号: 90, 期号: 8, 页码: 3780-3786
Duo, XH
;
Liu, WL
;
Zhang, M
;
Wang, LW
;
Lin, CL
;
Okuyama, M
;
Noda, M
;
Cheung, WY
;
Wong, SP
;
Chu, PK
;
Hu, PG
;
Wang, SX
;
Wang, LM
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提交时间:2012/03/24
INDUCED EXFOLIATION
INDUCED DEFECTS
COIMPLANTATION
MECHANISM
CAVITIES
AU
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