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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901 作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08 edge dislocations  gallium compounds  III-V semiconductors  impurities  photoluminescence  semiconductor doping  semiconductor thin films  silicon  wide band gap semiconductors  X-ray diffraction   Recombination property of nitrogen-acceptor-bound states in ZnO 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 4, 页码: art.no.046101 Yang XD; Xu ZY; Sun Z; Sun BQ; Ding L; Wang FZ; Ye ZZ 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE ZNO  OPTICAL-PROPERTIES  EXCITON FORMATION  PHOTOLUMINESCENCE  FILMS  SPECTROSCOPY  DYNAMICS  IMPURITY  ENERGY   Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films 期刊论文 solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157 Wang LS; Fong WK; Surya C; Cheah KW; Zheng WH; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：73/5  |  提交时间：2010/08/12 p-type GaN  metalorganic chemical vapor deposition  photoluminescence  X-ray diffraction  rapid-thermal annealing  P-TYPE GAN  RECOMBINATION  EMISSION  ENERGY  BANDS