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科研机构
半导体研究所 [13]
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期刊论文 [12]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2008 [3]
2006 [1]
2005 [1]
2004 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体物理 [13]
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学科主题:半导体物理
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Photoluminescence of CdSe nanowires grown with and without metal catalyst
期刊论文
nano research, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: 343-359
作者:
Tan PH
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浏览/下载:52/5
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提交时间:2011/07/05
CdSe
nanowires
photoluminescence
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SHAPE-SELECTIVE SYNTHESIS
LIQUID-SOLID MECHANISM
OPTICAL-PROPERTIES
SILICON NANOWIRES
SI NANOWIRES
ZNSE NANOWIRES
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
STRUCTURAL-PROPERTIES
EPITAXIAL-GROWTH
Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles
期刊论文
physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206
Shi LJ
;
Zhu LF
;
Zhao YH
;
Liu BG
收藏
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浏览/下载:217/56
  |  
提交时间:2010/03/08
ab initio calculations
aluminium compounds
annealing
band structure
chromium
Curie temperature
density functional theory
exchange interactions (electron)
ferromagnetic materials
III-V semiconductors
semimagnetic semiconductors
total energy
vacancies (crystal)
Evolution of structural defects in SiOx films fabricated by electron cyclotron resonance plasma chemical vapour deposition upon annealing treatment
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1034-1037
Hao, XP
;
Wang, BY
;
Yu, RS
;
Wei, L
;
Wang, H
;
Zhao, DG
;
Hao, WC
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浏览/下载:71/2
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提交时间:2010/03/08
SILICON-OXIDE FILMS
POSITRON-ANNIHILATION
POROUS SILICON
THIN-FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
LAYERS
BEAM
MOCVD growth of InN using a GaN buffer
期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 43, 期号: 2, 页码: 81-85
作者:
Yang H
;
Wang LL
;
Wang H
;
Yang H
;
Zhu JJ
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浏览/下载:52/1
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提交时间:2010/03/08
surface
1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
收藏
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浏览/下载:224/60
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提交时间:2010/03/29
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
NITROGEN
ORIGIN
DIODES
High structural and optical quality 1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells with higher indium content grown by molecular-beam expitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 16, 页码: art.no.161911
Zhang SY
;
Niu ZC
;
Ni HQ
;
Wu DH
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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浏览/下载:106/35
  |  
提交时间:2010/03/17
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362-4366
Lu, W
;
Li, DB
;
Li, CR
;
Shen, F
;
Zhang, Z
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浏览/下载:303/45
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提交时间:2010/03/09
CRITICAL LAYER THICKNESS
Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1018-1022
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:179/3
  |  
提交时间:2010/08/12
BARRIER FORMATION
DIODES
PD
Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates
期刊论文
international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 1-2, 页码: 165-172
Xie MH
;
Cheung SH
;
Zheng LX
;
Tong SY
;
Zhang BS
;
Yang H
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浏览/下载:140/42
  |  
提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Effect of defects on optical phonon Raman spectra in SiC nanorods
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 111, 期号: 11, 页码: 647-651
Zhang SL
;
Zhu BF
;
Huang FM
;
Yan Y
;
Shang EY
;
Fan SS
;
Han WG
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浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/08/12
nanostructures
phonons
inelastic light scattering
SCATTERING
SILICON
FABRICATION
FILMS
MODES
QUANTUM-WELL WIRES
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