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半导体研究所 [25]
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期刊论文 [21]
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2007 [1]
2006 [4]
2003 [2]
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学科主题
半导体物理 [25]
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学科主题:半导体物理
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Strain Effects on the Optical Polarization Properties of R-Plane Wurtzite GaN
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 4, 页码: art. no. 041001
作者:
Hao GD
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浏览/下载:129/28
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提交时间:2010/03/08
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
QUANTUM-WELLS
LASER-DIODES
ORIENTATION
SEMICONDUCTORS
DEPENDENCE
ANISOTROPY
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
FILMS
Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102
作者:
Jiang DS
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Yang H
;
Wang YT
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/03/08
LIGHT-EMITTING-DIODES
FUNDAMENTAL-BAND GAP
NANOWIRES
HETEROSTRUCTURES
NANOSTRUCTURES
MOCVD
POLAR
Photoluminescence properties of tensile-strained GaAsP/GaInP single quantum wells grown by metal organic chemical vapor deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2008, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 7026-7031 part 1
Zhong, L
;
Ma, XY
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/08
tensile strain
GaAsP/GaInP
photoluminescence
quantum well
laser diodes
LP-MOCVD
Low threshold lasing of GaN-based vertical cavity surface emitting lasers with an asymmetric coupled quantum well active region
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 19, 页码: art. no. 191118
Zhang JY
;
Cai LE
;
Zhang BP
;
Li SQ
;
Lin F
;
Shang JZ
;
Wang DX
;
Lin KC
;
Yu JZ
;
Wang QM
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浏览/下载:25/1
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提交时间:2010/03/08
gallium compounds
Modulation response analysis of 1.3 mu m quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers
期刊论文
acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 2, 页码: 863-870
Peng, HL (Peng Hong-Ling)
;
Han, Q (Han Qin)
;
Yang, XH (Yang Xiao-Hong)
;
Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan)
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浏览/下载:69/0
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提交时间:2010/03/29
quantum dots
The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH
;
Niu ZC
;
Zhang SY
;
Ni HQ
;
He ZH
;
Sun Z
;
Han Q
;
Wu RH
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
nitrides
semiconducting III-V materials
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
LASER-DIODES
TEMPERATURE
SURFACTANT
EMISSION
NITROGEN
ORIGIN
Stochastic resonance in single-mode semiconductor lasers
期刊论文
physica a-statistical mechanics and its applications, 2006, 卷号: 368, 期号: 1, 页码: 31-37
Wang J
;
Bai YM
;
Cao L
;
Wu DJ
;
Ma XY
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浏览/下载:85/0
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提交时间:2010/04/11
stochastic resonance
carrier noise
photon noise
semiconductor lasers
linear approximation method
MODULATED BISTABLE SYSTEMS
RING LASER
NOISE
DRIVEN
GAIN
1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488
作者:
Wu Donghai
;
Han Qin
;
Peng Hongling
;
Niu Zhichuan
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
Influence of nitridation time on the morphology of GaN nanorods synthesized by nitriding Ga2O3/ZnO films
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 117-120
Gao HY (Gao Haiyong)
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2010/04/11
GaN nanorods
Ga2O3/ZnO films
RF magnetron sputtering
nitridation
OPTICAL-PROPERTIES
LASER-DIODES
ZNO
SUBSTRATE
NANOWIRES
LAYER
Measurement of gain spectrum for semiconductor lasers utilizing integrations of product of emission spectrum and a phase function over one mode interval
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2003, 卷号: 15, 期号: 11, 页码: 1510-1512
作者:
Yu LJ
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浏览/下载:605/10
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提交时间:2010/08/12
gain measurement
optical spectrum analyzer (OSA)
semiconductor lasers
DIODES
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