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半导体研究所 [49]
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期刊论文 [46]
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共49条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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GaN-based violet lasers grown on sapphire with a novel facet fabrication method
会议论文
solid state lighting (sslchina), 2015 12th china international forum, 中国深圳, 2015
Yingdong Tian
;
Yun Zhang
;
Jianchang Yan
;
Xiang Chen
;
Yanan Guo
;
Xuecheng Wei
;
Junxi Wang
;
Jinmin Li
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2016/06/02
Residual stress in AlN films grown on sapphire substrates by molecular beam epitaxy
期刊论文
superlattices and microstructures, 2016, 卷号: 93, 页码: 27-31
Xin Rong
;
Xinqiang Wang
;
Guang Chen
;
Jianhai Pan
;
Ping Wang
;
Huapeng Liu
;
Fujun Xu
;
Pingheng Tan
;
Bo Shen
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2017/03/16
Giant in-plane optical anisotropy of a-plane ZnO on r-plane sapphire
期刊论文
journal of semiconductors, 2013, 卷号: 34, 期号: 12, 页码: 122003
Wu Shujie
;
Chen Yonghai
;
Qin Xudong
;
Gao Hansong
;
Yu Jinling
;
Zhu Laipan
;
Li Yuan
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2014/04/30
Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64001
Zhang, Renping
;
Yan, Wei
;
Wang, Xiaoliang
;
Yang, Fuhua
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/06/14
Aspect ratio
Current density
Drain current
Electric network analysis
Electric network analyzers
Electron mobility
Fabrication
Gallium nitride
Ohmic contacts
Passivation
Silicon nitride
Silicon wafers
The explanation of InN bandgap discrepancy based on experiments and first-principle calculations
期刊论文
physics letters a, 2011, 卷号: 375, 期号: 7, 页码: 1152-1155
作者:
Li JB
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浏览/下载:59/6
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提交时间:2011/07/05
First principle calculation
Indium nitride
Band gap
Defect
INITIO MOLECULAR-DYNAMICS
AUGMENTED-WAVE METHOD
INDIUM NITRIDE
GAP
PSEUDOPOTENTIALS
SEMICONDUCTORS
IMPURITIES
ABSORPTION
DEFECTS
ALLOYS
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:33/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:191/56
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
Properties of AlyGa1-yN/AlxGa1-xN/AlN/GaN Double-Barrier High Electron Mobility Transistor Structure
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 017301
Guo LC
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Ran JX
;
Wang CM
;
Ma ZY
;
Luo WJ
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/08
CONTENT ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
AL-CONTENT
ALGAN/ALN/GAN HETEROSTRUCTURES
HEMT STRUCTURES
PHASE EPITAXY
SAPPHIRE
GAS
DENSITIES
Deep levels in high resistivity GaN detected by thermally stimulated luminescence and first-principles calculations
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 15, 页码: art. no. 155403
作者:
Li JB
;
Hou QF
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浏览/下载:65/11
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提交时间:2010/03/08
N-TYPE GAN
ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEFECTS
THERMOLUMINESCENCE
CARBON
TRAP
Curvature Correction of FWHM in the X-Ray Rocking Curve of Bent Heteroepitaxial Films
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: art. no. 076104
作者:
Wang LJ
;
Yang H
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:78/0
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提交时间:2010/03/08
DENSITIES
CRYSTALS
LAYERS
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