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科研机构
半导体研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
2009 [1]
2007 [3]
2005 [1]
2004 [1]
2002 [2]
1999 [1]
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学科主题
半导体物理 [13]
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共13条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11, 页码: art. no. 113704
作者:
Li JB
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浏览/下载:131/30
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提交时间:2010/03/08
AUGMENTED-WAVE METHOD
P-TYPE ZNO
POINT-DEFECTS
II-VI
NITROGEN
SEMICONDUCTORS
1ST-PRINCIPLES
COMPENSATION
ENHANCEMENT
The growth of high-Al-content InAlGaN quaternary alloys by RF-MBE
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 765-768
Wang BZ
;
Wang XL
;
Wang XY
;
Guo LC
;
Wang XH
;
Xiao HL
;
Liu HX
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/03/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
Influences of As flux on the lattice constants, magnetic and transport properties of (Ga, Mn)As epilayers
期刊论文
solid state communications, 2007, 卷号: 141, 期号: 8, 页码: 453-458
作者:
Gan HD
;
Tan PH
;
Zhu H
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/03/29
magnetic semiconductors
A proposal for low cross-talk square-lattice photonic crystal waveguide intersection utilizing the symmetry of waveguide modes
期刊论文
optics communications, 2007, 卷号: 273, 期号: 1, 页码: 89-93
Li ZF (Li Zhaofeng)
;
Chen HB (Chen Haibo)
;
Chen JJ (Chen Jianjun)
;
Yang FH (Yang Fuhua)
;
Zheng HZ (Zheng Houzhi)
;
Feng SL (Feng Songlin)
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浏览/下载:173/0
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提交时间:2010/03/29
CIRCUITS
Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation
期刊论文
high energy physics and nuclear physics-chinese edition, 2005, 卷号: 29, 期号: suppl.s, 页码: 37-39
Chen J
;
Wang JF
;
Zhang JC
;
Wang H
;
Huang Y
;
Wang YT
;
Yang H
;
Jia QJ
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
epitaxy lateral overgrowth
stacking faults
synchrotron radiation X-ray diffraction (XRD)
pole figure
WURTZITE GAN
LUMINESCENCE
Nonradiative recombination centers in Ga(As,N) and their annealing behavior studied by Raman spectroscopy
期刊论文
applied physics letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 11, 页码: 1859-1861
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:83/29
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提交时间:2010/03/09
1.3 MU-M
Content analyses in GaMnAs by double-crystal X-ray diffraction
期刊论文
chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 4, 页码: 274-275
Chen NF
;
Xiu HX
;
Yang JL
;
Wu JL
;
Zhong XR
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:96/12
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提交时间:2010/08/12
GaMnAs
diluted magnetic semiconductor
X-ray diffraction
lattice parameter
content of Mn
SEMICONDUCTOR
Growth mode and strain evolution during InN growth on GaN(0001) by molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 21, 页码: 3960-3962
Ng YF
;
Cao YG
;
Xie MH
;
Wang XL
;
Tong SY
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
MISFIT DISLOCATIONS
DEFECTS
INGAN
GAN
REDUCTION
INDIUM
LAYERS
FILMS
Effect of defects on optical phonon Raman spectra in SiC nanorods
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 111, 期号: 11, 页码: 647-651
Zhang SL
;
Zhu BF
;
Huang FM
;
Yan Y
;
Shang EY
;
Fan SS
;
Han WG
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
nanostructures
phonons
inelastic light scattering
SCATTERING
SILICON
FABRICATION
FILMS
MODES
QUANTUM-WELL WIRES
Hydrogen-decorated lattice defects in proton implanted GaN
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 14, 页码: 1703-1705
Weinstein MG
;
Song CY
;
Stavola M
;
Pearton SJ
;
Wilson RG
;
Shul RJ
;
Killeen KP
;
Ludowise MJ
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
AS-H BONDS
COMPLEXES
INP
GAAS
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