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Layer number identification of intrinsic and defective multilayered graphenes up to 100 layers by the Raman mode intensity from substrates 期刊论文
nanoscale, 2015, 卷号: 7, 期号: 17, 页码: 8135-8141
Xiao-Li Li; Xiao-Fen Qiao; Wen-Peng Han; Yan Lu; Qing-Hai Tan; Xue-Lu Liu; Ping-Heng Tan
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Time-Resolved Photoluminescence of Metamorphic InGaAs Quantum Wells 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 10, 页码: art.no.107803
Ma SS (Ma Shan-Shan); Wang, BR (Wang Bao-Rui); Sun BQ (Sun Bao-Quan); Wu DH (Wu Dong-Hai); Ni HQ (Ni Hai-Qiao); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan)
收藏  |  浏览/下载：182/72  |  提交时间：2010/03/08
Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911
作者:  Chen L
收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/08
Electroluminescence from nano-crystalline Si/SiO2 structures embedded in pn junctions 期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 160-165
Chen DY; Wang X; Wei DY; Wang T; Xu J; Ma ZY; Li W; Chen KJ; Shi WH; Wang QM
收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/08
PECVD  
Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation 期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492
Peng CX; Weng HM; Yang XJ; Ye BJ; Cheng B; Zhou XY; Han RD
收藏  |  浏览/下载：235/9  |  提交时间：2010/04/11
Numerical simulation of nc-Si : H/c-Si heterojunction solar cells 期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 1, 页码: 217-224
Hu ZH; Liao XB; Zeng XB; Xu YY; Zhang SB; Diao HW; Kong GL
收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/08/12
Selectively excited photoluminescence of GaAs1-xNx single quantum wells 期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4863-4865
作者:  Tan PH
收藏  |  浏览/下载：144/0  |  提交时间：2010/08/12
Optical study of electronic states in GaAsN 会议论文
conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002
Luo XD; Yang CL; Huang JS; Xu ZY; Liu J; Ge WK; Zhang Y; Mascarenhas A; Xin HP; Tu CW
收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29
Raman study of low-temperature-grown Al0.29Ga0.71As/GaAs photorefractive materials 期刊论文
physical review b, 2002, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: art.no.125325
作者:  Tan PH
收藏  |  浏览/下载：76/4  |  提交时间：2010/08/12
Radiative recombination characteristics in GaAs multilayer n(+)-i interfaces 期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 10, 页码: 5444-5446
Shen WZ; Jiang LF; Yu G; Lai ZY; Wang XG; Shen SC; Cao X
收藏  |  浏览/下载：95/14  |  提交时间：2010/08/12

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