CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共34条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Molecular beam epitaxy growth of GaAs on an offcut Ge substrate 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: article no.18102
作者:  Li MF
收藏  |  浏览/下载：106/7  |  提交时间：2011/07/05
Raman study of ultrathin Fe(3)O(4) films on GaAs(001) substrate: stoichiometry, epitaxial orientation and strain 期刊论文
journal of raman spectroscopy, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 1388-1391
Zhang, J; Tan, PH; Zhao, WJ; Lu, J; Zhao, JH
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06
Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101
作者:  Xu YQ;  Tang B
收藏  |  浏览/下载：221/40  |  提交时间：2010/03/08
Structural and electrical properties of (110) ZnO epitaxial thin films on (001) SrTiO3 substrates 期刊论文
solid state communications, 2008, 卷号: 148, 期号: 39939, 页码: 247-250
Wu, YL; Zhang, LW; Xie, GL; Ni, J; Chen, YH
收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/03/08
Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications 期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272
Zhao, YM; Sun, GS; Ning, J; Liu, XF; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM
收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/08
Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia 期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100
Lin, GQ; Zeng, YP; Wang, XL; Liu, HX
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08
Morphology Evolution of (331)A High-Index Surfaces During Atomic Hydrogen Assisted Molecular Beam Epitaxy (MBE) 期刊论文
光子学报, 2008, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 1107-1111
NIU Zhihong; REN Zhengwei; HE Zhenhong
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23
Synthesis and photoluminescence, field emission properties of stalactite-like ZnS-ZnO composite nanostructures 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2008, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 759-763
Li J; Fang, GJ; Li C; Yuan, LY; Ai L; Liu NS; Zhao DS; Ding K; Li GH; Zhao XZ
收藏  |  浏览/下载：53/1  |  提交时间：2010/03/08
The effect of low temperature AlN interlayers on the growth of GaN epilayer on Si (111) by MOCVD 期刊论文
superlattices and microstructures, 2008, 卷号: 44, 期号: 2, 页码: 153-159
Luo, WJ; Wang, XL; Guo, LC; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Li, JP; Li, JM
收藏  |  浏览/下载：85/1  |  提交时间：2010/03/08
Growth parameter dependence of magnetic property of CrAs thin film 期刊论文
chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 12, 页码: 3868-3872
作者:  Zheng YH
收藏  |  浏览/下载：42/2  |  提交时间：2010/03/08

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace