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科研机构
半导体研究所 [8]
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期刊论文 [8]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2001 [1]
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学科主题
半导体物理 [8]
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学科主题:半导体物理
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
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浏览/下载:33/2
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提交时间:2011/07/05
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Resonant subband Landau level coupling in symmetric quantum well
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083502
Tung LC (Tung L. -C.)
;
Wu XG (Wu X. -G.)
;
Pfeiffer LN (Pfeiffer L. N.)
;
West KW (West K. W.)
;
Wang YJ (Wang Y. -J.)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/12/05
TILTED MAGNETIC-FIELDS
ELECTRON-GAS
DEPOLARIZATION SHIFT
CYCLOTRON-RESONANCE
MATRIX-ELEMENTS
HETEROJUNCTIONS
SPECTROSCOPY
TECHNOLOGY
ABSORPTION
SYSTEMS
Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304
作者:
Liang S
;
Pan JQ
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/03/08
metal-organic chemical vapour deposition
Magnetointersubband oscillations of the two-dimensional electron gas in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2004, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 915-918
Jiang CP
;
Yang FH
;
Zheng HZ
;
Qiu ZJ
;
Gui YS
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Shen B
;
Zheng YD
收藏
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浏览/下载:193/43
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提交时间:2010/03/09
MAGNETO-INTERSUBBAND SCATTERING
Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy
期刊论文
solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477
Huang JS
;
Dong X
;
Luo XD
;
Liu XL
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
AlInGaN
quantum dots
hopping
stretched-exponential decay
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
LIGHT-EMITTING-DIODES
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
THERMAL-ACTIVATION
LUMINESCENCE
TRANSITIONS
RELAXATION
SILICON
LAYERS
Photoluminescence properties of a GaN0.015As0.985/GaAs single quantum well under short pulse excitation
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 7, 页码: 958-960
Luo XD
;
Xu ZY
;
Ge WK
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
收藏
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浏览/下载:124/4
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BAND-GAP ENERGY
TEMPERATURE PHOTOLUMINESCENCE
MECHANISM
GANXAS1-X
EMISSION
NITROGEN
ALLOYS
SHIFT
GANAS
Influence of rapid thermal annealing on the optical properties of gallium nitride grown by gas-source molecular-beam epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 72, 期号: 8, 页码: 936-938
Li XB
;
Sun DZ
;
Zhang JP
;
Kong MY
;
Yoon SF
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
LAYERS
GAAS
HYDROGEN
FILMS
EFFECTIVE-MASS THEORY FOR SUPERLATTICES GROWN ON (11N)-ORIENTED SUBSTRATES
期刊论文
physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 12, 页码: 9856-9864
XIA JB
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
QUANTUM-WELL STRUCTURES
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
ORIENTATION
TRANSITIONS
GAP
MBE
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