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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2009 [1]
2002 [1]
2001 [2]
学科主题
半导体物理 [4]
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学科主题:半导体物理
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Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713
作者:
Zhang XW
;
You JB
;
Yin ZG
收藏
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浏览/下载:70/1
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提交时间:2010/03/08
annealing
carrier density
carrier mobility
diffusion
electrical conductivity
electrical resistivity
hydrogen
II-VI semiconductors
impurity states
interstitials
light transmission
plasma materials processing
semiconductor thin films
sputter deposition
vacancies (crystal)
visible spectra
wide band gap semiconductors
zinc compounds
Interplay between partial incoherence, partial inelasticity, resonance, and heterogeneity in long-range electron transfer and transport
期刊论文
journal of chemical physics, 2002, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 2180-2186
Yu XY
;
Zhang HY
;
Han P
;
Li XQ
;
Yan YJ
收藏
  |  
浏览/下载:65/0
  |  
提交时间:2010/08/12
BRIDGED MOLECULAR-SYSTEMS
CHARGE-TRANSFER
TRANSFER RATES
BIOLOGICAL MOLECULES
HOLE MIGRATION
DNA
MECHANISM
COHERENT
SUPEREXCHANGE
SCATTERERS
Residual donors and compensation in metalorganic chemical vapor deposition as-grown n-GaN
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 12, 页码: 6130-6134
Xu XL
;
Liu HT
;
Shi CS
;
Zhao YW
;
Fung S
;
Beling CD
收藏
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浏览/下载:126/15
  |  
提交时间:2010/08/12
LIGHT-EMITTING DIODES
GALLIUM NITRIDE
YELLOW LUMINESCENCE
ELECTRON
PHOTOLUMINESCENCE
EPILAYERS
VACANCIES
INTERFACE
MECHANISM
ENERGY
Photoluminescence of rapid-thermal annealed Mg-doped GaN films
期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 1153-1157
Wang LS
;
Fong WK
;
Surya C
;
Cheah KW
;
Zheng WH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:73/5
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提交时间:2010/08/12
p-type GaN
metalorganic chemical vapor deposition
photoluminescence
X-ray diffraction
rapid-thermal annealing
P-TYPE GAN
RECOMBINATION
EMISSION
ENERGY
BANDS
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