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科研机构
半导体研究所 [15]
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期刊论文 [14]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2009 [2]
2008 [2]
2006 [1]
2005 [1]
2004 [1]
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学科主题
半导体物理 [15]
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共15条,第1-10条
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学科主题:半导体物理
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A high-speed CMOS image sensor for real-time vision chip
期刊论文
guangxue xuebao/acta optica sinica, 2011, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 828001
Fu, Qiuyu
;
Lin, Qingyu
;
Zhang, Wancheng
;
Wu, Nanjian
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2012/06/14
Analog to digital conversion
CMOS integrated circuits
Differential amplifiers
Digital cameras
Image sensors
Optical data processing
Photodiodes
Pixels
Programmed control systems
Sensors
Signal processing
Confinement factor and absorption loss of AlInGaN based laser diodes emitting from ultraviolet to green
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 2, 页码: art. no. 023104
作者:
Zhu JJ
;
Zhang SM
;
Jiang DS
;
Zhao DG
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:191/56
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
claddings
gallium compounds
III-V semiconductors
indium compounds
quantum well lasers
refractive index
waveguide lasers
Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802
Ruan J
;
Yu TJ
;
Jia CY
;
Tao RC
;
Wang ZG
;
Zhang GY
收藏
  |  
浏览/下载:87/2
  |  
提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL LASERS
OPTICAL GAIN
EMISSION
GAN
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
LUMINESCENCE
SPECTRA
ORIGIN
ENERGY
Uniaxial Strain Effects on Optical Properties of c-plane Wurtzite GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4139-4142
Hao, GD
;
Chen, YH
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELL LASERS
DIODES
SAPPHIRE
Photoluminescence energy and fine structure splitting in single quantum dots by uniaxial stress
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 1120-1123
Dou, XM
;
Sun, BQ
;
Wang, BR
;
Ma, SS
;
Zhou, R
;
Huang, SS
;
Ni, HQ
;
Niu, ZC
收藏
  |  
浏览/下载:50/2
  |  
提交时间:2010/03/08
EXCHANGE INTERACTION
GAAS
PRESSURE
DEPENDENCE
AMPLIFIERS
ELECTRON
EMISSION
EXCITONS
PHOTONS
SPECTRA
Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412
Song SF
;
Chen WD
;
Xu ZJ
;
Xu XR
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Er
Pr-implautation
deep level transient spectroscopy
N-TYPE GAN
DEFECTS
EPITAXY
TRAPS
1.55 mu m GaInNAs resonant-cavity-enhanced photodetector grown on GaAs
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 11, 页码: art.no.111105
Han, Q
;
Yang, XH
;
Niu, ZC
;
Ni, HQ
;
Xu, YQ
;
Zhang, SY
;
Du, Y
;
Peng, LH
;
Zhao, H
;
Tong, CZ
;
Wu, RH
;
Wang, QM
收藏
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浏览/下载:78/18
  |  
提交时间:2010/03/17
QUANTUM-WELL LASERS
Effect of SiO2 encapsulation on the nitrogen reorganization in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
asia-pacific optical and wireless communications conference (apoc 2003), wuhan, peoples r china, nov 04-06, 2003
Ying-Qiang X
;
Zhang W
;
Niu ZC
;
Wu RG
;
Wang QM
收藏
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浏览/下载:16/1
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提交时间:2010/10/29
GaNAs
SiO2 encapsulation
rapid-thermal-annealing
nitrogen reorganization
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
MU-M
RBS/channeling study and photoluminscence properties of Er-implanted GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562
Song SF
;
Zhou SQ
;
Chen WD
;
Zhu JJ
;
Chen CY
;
Xu ZJ
收藏
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浏览/下载:235/3
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提交时间:2010/08/12
GaN
erbium
Raman back scattering
photoluminscence
DOPED GAN
ERBIUM
PHOTOLUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
Role of amorphous silicon domains on Er3+ emission in the Er-doped hydrogenated amorphous silicon suboxide film
期刊论文
chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 4, 页码: 438-442
Chen CY
;
Chen WD
;
Li GH
;
Song SF
;
Ding K
;
Xu ZJ
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/08/12
a-Si domain
erbium
photoluminescence
SI NANOCRYSTALS
LUMINESCENCE
ERBIUM
PHOTOLUMINESCENCE
EXCITATION
OXIDE
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