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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2011 [1]
2009 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2003 [2]
1998 [1]
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学科主题
半导体物理 [10]
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学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
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GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 33, 页码: 335102
He JF
;
Wang HL
;
Shang XJ
;
Li MF
;
Zhu Y
;
Wang LJ
;
Yu Y
;
Ni HQ
;
Xu YQ
;
Niu ZC
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/01/06
1.3 MU-M
STRAIN RELIEF
LASERS
SUBSTRATE
PHOTOLUMINESCENCE
DISLOCATIONS
OPERATION
RANGE
Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901
作者:
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
;
Wang YT
;
Yang H
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浏览/下载:64/1
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提交时间:2010/03/08
edge dislocations
gallium compounds
III-V semiconductors
impurities
photoluminescence
semiconductor doping
semiconductor thin films
silicon
wide band gap semiconductors
X-ray diffraction
Dislocation scattering in AlxGa1-xN/GaN heterostructures
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: art. no. 182111
Xu, XQ
;
Liu, XL
;
Han, XX
;
Yuan, HR
;
Wang, J
;
Guo, Y
;
Song, HP
;
Zheng, GL
;
Wei, HY
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/03/08
aluminium compounds
dislocation density
electron mobility
gallium compounds
III-V semiconductors
interface roughness
semiconductor heterojunctions
two-dimensional electron gas
wide band gap semiconductors
Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
SILICON
SEMICONDUCTORS
DISLOCATIONS
SPECTRA
Defects in GaN films grown on Si(111) substrates by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 10, 页码: 1811-1814
Hu GQ
;
Kong X
;
Wan L
;
Wang YQ
;
Duan XF
;
Lu Y
;
Liu XL
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浏览/下载:250/3
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
HETEROEPITAXIAL GROWTH
HETEROSTRUCTURE
DISLOCATIONS
MICROSCOPY
Influence of coupling between Er3+, nc-Si and nonradiative centers on photoluminescence from Er3+-doped nc-Si/SiO2 films
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 3, 页码: 736-739
Chen CY
;
Chen WD
;
Wang YQ
;
Song SF
;
Xu ZJ
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
E3+
nc-Si
H treatment
ROOM-TEMPERATURE LUMINESCENCE
NANOCRYSTALS
IMPLANTATION
Effects of annealing on self-organized InAs quantum islands on GaAs (100)
期刊论文
applied physics letters, 1998, 卷号: 73, 期号: 24, 页码: 3518-3520
Mo QW
;
Fan TW
;
Gong Q
;
Wu J
;
Wang ZG
;
Bai YQ
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
COHERENT ISLANDS
GROWTH
DOTS
DISLOCATIONS
TEMPERATURE
MECHANISMS
SI(001)
INGAAS
Reflectance-difference spectroscopy study of the Fermi-level position of low-temperature-grown GaAs
期刊论文
physical review b, 1997, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: r7379-r7382
Chen YH
;
Yang Z
;
Li RG
;
Wang YQ
;
Wang ZG
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/17
BEAM EPITAXIAL GAAS
BAND DISPERSION IN THE RECURSION METHOD
期刊论文
physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 15, 页码: 12464-12469
WANG YL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTORS
SILICON
DISLOCATIONS
ENVIRONMENT
DEFECTS
STATES
INFLUENCES OF ALLOY DISORDER AND INTERFACE ROUGHNESS ON OPTICAL-SPECTRA OF INGAAS/GAAS STRAINED-LAYER QUANTUM-WELLS
期刊论文
chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 2, 页码: 458-465
XU QA
;
XU ZY
;
ZHENG BZ
;
XU JZ
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
EPITAXIAL MULTILAYERS
DEFECTS
SUPERLATTICES
DISLOCATIONS
DEPENDENCE
THICKNESS
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