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半导体研究所 [15]

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半导体材料 [15]

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	Well-width dependence of in-plane optical anisotropy in (001) GaAs/AlGaAs quantum wells induced by in-plane uniaxial strain and interface asymmetry 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 10, 页码: art. no. 103108 作者: Xu B; Ye XL 收藏 \| 浏览/下载：69/0 \| 提交时间：2010/03/08 aluminium compounds gallium arsenide III-V semiconductors internal stresses reflectivity semiconductor heterojunctions semiconductor quantum wells
	Stability of GaAs photocathodes under different intensities of illumination 期刊论文 acta physica sinica, 2007, 卷号: 56, 期号: 10, 页码: 6109-6113 Zou JJ (Zou Ji-Jun); Chang BK (Chang Ben-Kang); Yang Z (Yang Zhi); Gao P (Gao Pin); Qiao JL (Qiao Jian-Liang); Zeng YP (Zeng Yi-Pine) 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2010/03/29 GaAs photocathode
	Influence of dislocation stress field on distribution of quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 130-133 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：55/0 \| 提交时间：2010/04/11 stress surface structure semiconducting III-V materials MOLECULAR-BEAM EPITAXY STRAIN THICKNESS
	Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 592-596 作者: Jin P; Xu B 收藏 \| 浏览/下载：60/0 \| 提交时间：2010/03/17 stress
	A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者: Li CM; Xu B; Jin P; Ye XL 收藏 \| 浏览/下载：30/0 \| 提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy low dimensional structures quantum dots strain molecular beam epitaxy superluminescent diodes 1.3 MU-M HIGH-POWER INTEGRATED ABSORBER INAS ISLANDS SPECTRUM WINDOW LAYER SIZE
	Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 62-65 作者: Ye XL; Xu B 收藏 \| 浏览/下载：63/4 \| 提交时间：2010/08/12 reflectance-difference spectroscopy indium segregation InGaAs/GaAs quantum wells EPITAXY-GROWN INGAAS/GAAS SURFACE SEGREGATION INTERFACE
	Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry 会议论文 9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001 作者: Xu B; Ye XL 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2010/11/15 reflectance-difference spectroscopy indium segregation InGaAs/GaAs quantum wells EPITAXY-GROWN INGAAS/GAAS SURFACE SEGREGATION INTERFACE
	Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：45/0 \| 提交时间：2010/08/12 low dimensional structures strain molecular beam epitaxy quantum dots ELECTRONIC-STRUCTURE PHOTOLUMINESCENCE INTERDIFFUSION TRANSITIONS SPECTRA
	A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73 作者: Li CM; Xu B; Jin P 收藏 \| 浏览/下载：46/0 \| 提交时间：2010/08/12 low dimensional structures strain molecular beam epitaxy quantum dots semiconducting III-V materials SHAPE TRANSITION PHOTOLUMINESCENCE FABRICATION DEPOSITION WIRES SITU
	Self-assembled quantum dots, wires and quantum-dot lasers 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1132-1139 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：143/9 \| 提交时间：2010/08/12 low dimensional structures strain molecular beam epitaxy quantum dots semiconducting III-V materials laser diodes WELL LASERS

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