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科研机构
半导体研究所 [14]
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期刊论文 [10]
会议论文 [4]
发表日期
2010 [4]
2009 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2003 [1]
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学科主题
半导体材料 [14]
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学科主题:半导体材料
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Strain effects on optical polarisation properties in (11(2)over-bar2) plane GaN films
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 11, 页码: art. no. 117104
Hao GD (Hao Guo-Dong)
;
Chen YH (Chen Yong-Hai)
;
Fan YM (Fan Ya-Ming)
;
Huang XH (Huang Xiao-Hui)
;
Wang HB (Wang Huai-Bing)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/12/28
LIGHT-EMITTING-DIODES
WURTZITE SEMICONDUCTORS
QUANTUM-WELLS
MATRIX-ELEMENTS
SEMIPOLAR
SAPPHIRE
Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: art. no. 151904
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
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浏览/下载:185/32
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提交时间:2010/05/04
alloying
annealing
electrical conductivity
excitons
II-VI semiconductors
magnesium compounds
MOCVD coatings
photoluminescence
positron annihilation
semiconductor thin films
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
zinc compounds
SEMICONDUCTORS
EMISSION
ORIGIN
DIODES
IN-PLANE OPTICAL ANISOTROPY OF STRAINED WURTZITE GaN IN THE A- AND R-PLANES
期刊论文
international journal of modern physics b, 2010, 卷号: 24, 期号: 27, 页码: 5439-5450
作者:
Hao GD
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浏览/下载:49/5
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提交时间:2011/07/05
Strain effect
optical anisotropy
A-plane
R-plane
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
LIGHT-EMITTING-DIODES
LASER-DIODES
POLARIZATION ANISOTROPY
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTORS
Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143
Liu B
;
Zhang Z
;
Zhang R
;
Fu DY
;
Xie ZL
;
Lu H
;
Schaff WJ
;
Song LH
;
Cui YC
;
Hua XM
;
Han P
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:196/52
  |  
提交时间:2010/04/28
BAND-GAP
TEMPERATURE-DEPENDENCE
ENERGY
SEMICONDUCTORS
SPECTRA
EPITAXY
GROWTH
LAYERS
Influence of zinc phthalocyanines on photoelectrical properties of hydrogenated amorphous silicon
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 39-42
作者:
Peng Wenbo
;
Liu Shiyong
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
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浏览/下载:76/19
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZATION
SEMICONDUCTORS
EMISSION
BOXES
BAND
Improved performance in organic light emitting diodes with a mixed electron donor-acceptor film involved in hole injection
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 101, 期号: 12, 页码: art.no.124507
Cao GH (Cao Guohua)
;
Qin DS (Qin Dashan)
;
Cao JS (Cao Junsong)
;
Guan M (Guan Min)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Li JM (Li Jinmin)
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/29
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Low -temperature preparation of ZnO films on Si substrates by MOCVD
期刊论文
功能材料与器件学报, 2006, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-66
作者:
Wang Jun
;
Wang Jun
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum
期刊论文
chinese optics letters, 2004, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 359-361
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
Growth and photoluminescence of InAlGaN films
会议论文
5th international conference on nitride semiconductors (icns-5), nara, japan, may 25-30, 2003
作者:
Li DB
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浏览/下载:13/2
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提交时间:2010/10/29
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
QUATERNARY ALLOYS
OPTICAL-PROPERTIES
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