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半导体研究所 [45]
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期刊论文 [43]
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2010 [2]
2009 [3]
2008 [1]
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学科主题
半导体材料 [45]
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学科主题:半导体材料
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:40/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 519, 期号: 1, 页码: 228-230
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
;
Liao H (Liao Hua)
;
Xu YQ (Xu Yingqiang)
;
Niu ZC (Niu Zhichuan)
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS
Abnormal temperature dependent photoluminescence of self-assembled InAs/GaAs surface quantum dots with high areal density
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 2455-2459
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Liu JQ (Liu J. Q.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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浏览/下载:265/60
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提交时间:2010/09/07
Quantum dots
Temperature dependent
Photoluminescence
Surface localized centers
Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Ye XL
;
Liang S
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浏览/下载:32/4
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提交时间:2010/03/08
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
Luminescence spectroscopy of ion implanted AlN bulk single crystal
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 31-33
作者:
Ke Jianhong
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/23
Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
收藏
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浏览/下载:76/19
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZATION
SEMICONDUCTORS
EMISSION
BOXES
BAND
An evidence of defect gettering in GaN
期刊论文
physica b-condensed matter, 2008, 卷号: 403, 期号: 13-16, 页码: 2495-2499
Majid A
;
Ali A
;
Zhu JJ
;
Wang YT
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:54/7
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提交时间:2010/03/08
GaN
Effect of an indium-doped barrier on enhanced near-ultraviolet emission from InGaN/AlGaN: In multiple quantum wells grown on Si(111)
期刊论文
nanotechnology, 2007, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: art.no.015402
Wu JJ (Wu Jiejun)
;
Zhang GY (Zhang Guoyi)
;
Liu XL (Liu Xianglin)
;
Zhu QS (Zhu Qinsheng)
;
Wang ZG (Wang Zhanguo)
;
Jia QJ (Jia Quanjie)
;
Guo LP (Guo Liping)
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浏览/下载:122/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Anomalous photoluminescence of InAs quantum dots implanted by Mn ions
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2007, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 221-225
作者:
Ye XL
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/29
photoluminescence
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