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半导体研究所 [18]
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期刊论文 [17]
会议论文 [1]
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学科主题
半导体材料 [18]
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学科主题:半导体材料
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Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: art. no. 113712
作者:
Song HP
;
Zhang B
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/04
aluminium compounds
effective mass
gallium arsenide
III-V semiconductors
SCF calculations
semiconductor quantum wires
spectral line shift
EXCHANGE INTERACTION
ENERGY
STATES
ABSORPTION
NANOWIRES
ELECTRONS
SUBBANDS
WELLS
FIELD
Enhancement of Exciton-Phonon Interaction in InGaN Quantum Wells Induced by Electron-Beam Irradiation
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 2, 页码: art. no. 021001
作者:
Wei XC
;
Duan RF
;
Ding K
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浏览/下载:76/19
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提交时间:2010/03/08
LOCALIZATION
SEMICONDUCTORS
EMISSION
BOXES
BAND
Anisotropic exchange splitting of excitons in (001)GaAs/Al0.3Ga0.7As superlattice studied by reflectance difference spectroscopy
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: art. no. 013106
Zhou, ZY
;
Tang, CG
;
Chen, YH
;
Wang, ZG
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2010/03/08
FINE-STRUCTURE
QUANTUM-WELLS
GAAS/ALAS SUPERLATTICES
SEMICONDUCTORS
TEMPERATURE
HOLE
Magnetic properties of silicon doped with gadolinium
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602
Zhou JP
;
Chen NF
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
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浏览/下载:321/10
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提交时间:2010/08/12
METAL-INSULATOR-TRANSITION
BEAM EPITAXY TECHNIQUE
SEMICONDUCTING SILICIDES
INDUCED FERROMAGNETISM
FILMS
MAGNETORESISTANCE
TEMPERATURE
ALLOYS
Annealing and activation of silicon implanted in semi-insulating InP substrates
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2003, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 215-218
Dong HW
;
Zhao YW
;
Li JM
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
semi-insulating InP
ion implantation
silicon
annealing
activation
SI+-IMPLANTATION
PHOSPHIDE VAPOR
UNDOPED INP
FE
WAFERS
UNIFORMITY
PRESSURE
Fabrication of novel double-hetero-epitaxial SOT structure Si/gamma-Al2O3/Si
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 3-4, 页码: 255-260
Tan LW
;
Wang QY
;
Wang J
;
Yu YH
;
Liu ZL
;
Lin LY
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浏览/下载:51/0
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提交时间:2010/08/12
heteroepitaxial growth
gamma-Al2O3
silicon
silicon on insulator
FILMS
SI
DEPOSITION
AL2O3
GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394
Zhou JP
;
Chen NF
;
Zhang FQ
;
Song SL
;
Chai CL
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2010/08/12
Auger electron spectroscopy
X-ray diffraction
X-ray photoelectron spectroscopy
ion beam epitaxy
semiconducting gadolinium silicide
SEMICONDUCTING SILICIDES
MAGNETIC SEMICONDUCTORS
TRANSITION
INSULATOR
SILICON
FILMS
Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84
作者:
Han PD
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浏览/下载:74/5
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提交时间:2010/08/12
substrates
heteroepitaxy
metalorganic chemical vapor deposition
gallium compounds
nitrides
INTERMEDIATE LAYER
EPITAXIAL-GROWTH
SILICON
SAPPHIRE
FILM
Heteroepitaxial growth and annealing of gamma-Al2O3 thin films on silicon
会议论文
symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Tan LW
;
Wang J
;
Wang QY
;
Yu YH
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/15
EPITAXIAL-GROWTH
AL2O3
SI
Carbonization process of Si(100) by ion-beam bombardment
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 3, 页码: 446-450
Liao MY
;
Chai CL
;
Yao ZY
;
Yang SY
;
Liu ZK
;
Wang ZG
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浏览/下载:83/8
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提交时间:2010/08/12
diffusion
growth models
ion bombardment
reflection high energy electron diffraction
physical vapor phase deposition
semiconducting silicon compounds
CUBIC GAN
GROWTH
DEPOSITION
EPITAXY
SILICON
DIAMOND
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