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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [8]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [2]
2009 [1]
2007 [1]
2006 [1]
2004 [1]
2003 [2]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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Growth and annealing of zinc-blende CdSe thin films on GaAs (001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 21, 页码: 9038-9043
Yang QM
;
Zhao J
;
Guan M
;
Liu C
;
Cui LJ
;
Han DJ
;
Zeng YP
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2011/09/14
ELECTRICAL-PROPERTIES
OPTICAL-PROPERTIES
EPILAYERS
ZN1-XCDXSE
DEPOSITION
SUBSTRATE
ZNSE
Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 83003
Bi, Yang
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
;
Peng, Enchao
;
Lin, Defeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, Lijuan,
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/06/14
Aluminum
Electron mobility
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Indium
Poisson equation
Polarization
Two dimensional electron gas
Influence of zinc phthalocyanines on photoelectrical properties of hydrogenated amorphous silicon
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 39-42
作者:
Peng Wenbo
;
Liu Shiyong
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2010/11/23
Uniformity Investigation in 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on Si Substrates by Horizontal Hot-Wall CVD
期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-4
作者:
Liu Xingfang
;
Zhao Yongmei
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures
会议论文
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Wang, CM
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
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浏览/下载:119/30
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提交时间:2010/03/29
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE
MOBILITY TRANSISTORS
HETEROSTRUCTURES
SAPPHIRE
GANHEMTS
Influence of nitrogen annealing on electrical properties of lead zirconate titanate thin film deposited on titanium metal foil
期刊论文
materials letters, 2004, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 706-710
Zhang, GQ
;
Zou, Q
;
Sun, P
;
Mei, X
;
Ruda, HE
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浏览/下载:62/9
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提交时间:2010/03/09
ferroelectrics
Effects of the crystal structure on electrical and optical properties of pyrite FeS2 films prepared by thermally sulfurizing iron films
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 230-238
Wan DY
;
Wang YT
;
Wang BY
;
Ma CX
;
Sun H
;
Wei L
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/08/12
crystal structure
sulfidation of iron films
iron pyrite films
semiconducting materials
solar cells
THIN-FILMS
ELECTRODEPOSITION
ATMOSPHERE
PRESSURE
Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100)
期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 567-573
Sun Guosheng
;
Sun Yanling
;
Wang Lei
;
Zhao Wanshun
;
Luo Muchang
;
Zhang Yongxing
;
Zeng Yiping
;
Li Jinmin
;
Lin Lanying
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
Point defects in III-V compound semiconductors
期刊论文
defects and diffusion in semiconductors, 2000, 卷号: 183-1, 期号: 0, 页码: 85-93
Chen N
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
compound semiconductors
point defects
deep level centres
stoichiometry
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS SINGLE-CRYSTALS
SEMIINSULATING GALLIUM-ARSENIDE
SEMI-INSULATING GAAS
ELECTRICAL-PROPERTIES
LATTICE-PARAMETER
NATIVE DEFECTS
CARBON
DIFFRACTOMETER
STOICHIOMETRY
MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4
会议论文
2nd international conference on nitride semiconductors (icns 97), tokushima city, japan, oct 27-31, 1997
Duan SK
;
Teng XG
;
Wang YT
;
Li GH
;
Jiang HX
;
Han P
;
Lu DC
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/15
GaN
MgAl2O4
MOVPE
LED
DIODES
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