×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [24]
内容类型
期刊论文 [22]
会议论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2010 [2]
2009 [2]
2008 [3]
2005 [2]
2003 [3]
更多...
学科主题
半导体材料 [24]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共24条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010
作者:
Yang T
;
Yang XG
;
Wang KF
收藏
  |  
浏览/下载:63/2
  |  
提交时间:2011/07/05
HIGH-DENSITY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
SELF-FORMATION
LAYERS
WELL
MBE
InN layers grown by MOCVD on SrTiO3 substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 312 (3): jan 15 2010, 2010, 卷号: 312, 期号: 3, 页码: 373-377
作者:
Jia CH
;
Zhou XL
收藏
  |  
浏览/下载:116/26
  |  
提交时间:2010/04/13
TiO3
Growth behavior
MOCVD
InN 了CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
PHASE EPITAXY
PRESSURE
Electron concentration dependence of exciton localization and freeze-out at local potential fluctuations in InN films
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2010, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 139-143
Liu B
;
Zhang Z
;
Zhang R
;
Fu DY
;
Xie ZL
;
Lu H
;
Schaff WJ
;
Song LH
;
Cui YC
;
Hua XM
;
Han P
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:196/52
  |  
提交时间:2010/04/28
BAND-GAP
TEMPERATURE-DEPENDENCE
ENERGY
SEMICONDUCTORS
SPECTRA
EPITAXY
GROWTH
LAYERS
Growth behavior of AlInGaN films
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
收藏
  |  
浏览/下载:216/66
  |  
提交时间:2010/03/08
Scanning electron microscope
Strain
X-ray diffraction
AlInGaN
Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films
期刊论文
thin solid films, 2009, 卷号: 517, 期号: 6, 页码: 1989-1994
作者:
Li Y
收藏
  |  
浏览/下载:359/38
  |  
提交时间:2010/03/08
Bulge test
Fracture property
Silicon nitride
Weibull distribution function
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC Films on Maskless Patterned Silicon Substrates
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 7, 页码: 1254-1257
作者:
Liu Xingfang
;
Ning Jin
;
Zhao Yongmei
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Growth of c-oriented ZnO films on (001) SMO3 substrates by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 311, 期号: 1, 页码: 200-204
作者:
Jia CH
收藏
  |  
浏览/下载:255/27
  |  
提交时间:2010/03/08
Growth behavior
SrTiO3
MOCVD
ZnO
Study of the wetting layer of InAs/GaAs nanorings grown by droplet epitaxy
期刊论文
applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: art. no. 063122
Zhao, C
;
Chen, YH
;
Xu, B
;
Tang, CG
;
Wang, ZG
;
Ding, F
收藏
  |  
浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/03/08
QUANTUM DOTS
INAS
Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of InGaN quantum dots
期刊论文
vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314
Han, XX
;
Li, JM
;
Wu, JJ
;
Wang, XH
;
Li, DB
;
Liu, XL
;
Han, PD
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/03/17
nanostructure
Investigation of Mn-implanted n-Si by low-energy ion beam deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 458-463
作者:
Yin ZG
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/03/17
auger electron spectroscopy
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace