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半导体研究所 [40]
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期刊论文 [33]
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2011 [5]
2010 [4]
2009 [5]
2008 [2]
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学科主题
半导体材料 [40]
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学科主题:半导体材料
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Epitaxial growth of non-polar m-plane AIN film on bare and ZnO buffered m-sapphire
期刊论文
journal of crystal growth, 2014, 卷号: 391, 页码: 111-115
Wang, HT
;
Jia, CH
;
Xu, JK
;
Chen, YH
;
Chen, XW
;
Zhang, WF
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  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2015/04/02
Growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by self-patterned nanoscale epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 10-14
Li, ZW
;
Wei, HY
;
Xu, XQ
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/03/17
Growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by self-patterned nanoscale epitaxial lateral overgrowth
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 10-14
Li, ZW
;
Wei, HY
;
Xu, XQ
;
Zhao, GJ
;
Liu, XL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2013/03/17
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:118/2
  |  
提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
收藏
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浏览/下载:80/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:
Song HP
;
Shi K
;
Sang L
;
Wei HY
收藏
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浏览/下载:58/3
  |  
提交时间:2011/07/05
Metal organic chemical vapor deposition
Sapphire
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
VAPOR-PHASE EPITAXY
OPTICAL-PROPERTIES
ZNO NANORODS
RAMAN-SCATTERING
M-PLANE
FILMS
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
NANOWIRES
FIELDS
Well-aligned Zn-doped tilted InN nanorods grown on r-plane sapphire by MOCVD
期刊论文
nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: article no.235603
作者:
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:69/3
  |  
提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SEMICONDUCTOR NANOWIRES
NITRIDE NANOTUBES
GAN
EMISSION
MECHANISM
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Photoluminescence spectroscopy and positron annihilation spectroscopy probe of alloying and annealing effects in nonpolar m-plane ZnMgO thin films
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 96, 期号: 15, 页码: art. no. 151904
作者:
Jin P
;
Wei HY
;
Song HP
收藏
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浏览/下载:185/32
  |  
提交时间:2010/05/04
alloying
annealing
electrical conductivity
excitons
II-VI semiconductors
magnesium compounds
MOCVD coatings
photoluminescence
positron annihilation
semiconductor thin films
vacancies (crystal)
wide band gap semiconductors
zinc compounds
SEMICONDUCTORS
EMISSION
ORIGIN
DIODES
Homogeneous Epitaxial Growth of N,N '-di(n-butyl)quinacridone Thin Films on Ag(110)
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7162-7166
Lin F (Lin Feng)
;
Fang ZY (Fang Zheyu)
;
Qu SC (Qu Shengchun)
;
Huang S (Huang Shan)
;
Song WT (Song Wentao)
;
Chi LF (Chi Lifeng)
;
Zhu X (Zhu Xing)
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/30
MOLECULAR-BEAM DEPOSITION
QUASIEPITAXIAL GROWTH
ORGANIC FILMS
LEED
PTCDA
STM
MONOLAYERS
GRAPHITE
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