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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105 Lu YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Cao ZF; Luan CB; Chen H; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：58/2  |  提交时间：2011/07/05 AlGaN/GaN heterostructures  thermal stressing  polarization  self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  POLARIZATION  STABILITY  CHARGE  GAN   Annealing study of carrier concentration in gradient-doped GaAs/GaAlAs epilayers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文 applied optics, 2009, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 1715-1720 Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：79/25  |  提交时间：2010/03/08 GAAS PHOTOCATHODES  GALLIUM-ARSENIDE  ALXGA1-XAS  DIFFUSION  SURFACE  ENERGY   Effect of Surface Potential Barrier on the Electron Energy Distribution of NEA Photocathodes 期刊论文 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 8, 页码: 1479-1483 Zou Jijun; Yang Zhi; Qiao Jianliang; Chang Benkang; Zeng Yiping 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Photoluminescence investigation of InAs bimodal self-assembled quantum dots state filling 期刊论文 spectroscopy and spectral analysis, 2007, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 2178-2181 Jia, GZ; Yao, JH; Zhang, CL; Shu, Q; Liu, RB; Ye, XL; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：60/2  |  提交时间：2010/03/08 photoluminescence spectroscopy  quantum dot  bimodal distribution  state-filling   Optical investigation on the annealing effect and its mechanism of GaInAs/GaNAs quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 155-160 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2010/08/12 interdiffusion  post-annealing  quantum wells  GaInNAs/GaAs  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CARRIER LOCALIZATION  GAINNAS  LUMINESCENCE  ORIGIN  GAASN