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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [9]
会议论文 [2]
发表日期
2008 [1]
2004 [1]
2002 [4]
1999 [1]
1998 [1]
1997 [1]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
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Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode
会议论文
34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Feng, C
;
Wang, XY
;
Wang, BZ
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Hu, GX
;
Li, JM
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/09
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TEMPERATURE
TRANSISTORS
GROWTH
MOCVD
LAYER
Preparation and characterization of Si sheets by renewed SSP technique
期刊论文
journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 3-4, 页码: 446-454
Ai B
;
Shen H
;
Ban Q
;
Wang XJ
;
Liang ZC
;
Liao XB
收藏
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浏览/下载:224/46
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提交时间:2010/03/09
crystal structure
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
会议论文
9th international conference on defects: recognition, imaging and physics in semiconductors (drip ix), rimini, italy, sep 24-28, 2001
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/15
defects
GaN
photoluminescence
electronic structures
YELLOW LUMINESCENCE
EPITAXIAL-FILMS
MG
Effects of residual C and O impurities on photoluminescence in undoped GaN epilayers
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2002, 卷号: 91, 期号: 0, 页码: 303-307
Kang JY
;
Shen YW
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:90/4
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提交时间:2010/08/12
defects
GaN
photoluminescence
electronic structures
YELLOW LUMINESCENCE
EPITAXIAL-FILMS
MG
Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
ELECTRONIC-STRUCTURE
PHOTOLUMINESCENCE
INTERDIFFUSION
TRANSITIONS
SPECTRA
A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
SHAPE TRANSITION
PHOTOLUMINESCENCE
FABRICATION
DEPOSITION
WIRES
SITU
Self-limiting MBE growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned GaAs(311)A substrates
期刊论文
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5
Niu ZC
;
Notzel R
;
Jahn U
;
Schonherr HP
;
Fricke J
;
Ploog KH
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
high-index substrates
molecular beam epitaxy (MBE)
patterned growth
three-dimensionally confined nanostructures
SIDEWALL QUANTUM WIRES
GAAS
PHOTOLUMINESCENCE
DOTS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures
期刊论文
journal of electronic materials, 1998, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 59-61
Wang ZM
;
Feng SL
;
Lu ZD
;
Zhao Q
;
Yang XP
;
Chen ZG
;
Xu ZY
;
Zheng HZ
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
InAs/GaAs
quantum dots
BOX ISLANDS
GAAS
INTERDIFFUSION
GAAS(100)
GROWTH
THRESHOLD
INGAAS
STRAIN
SCALE
OPTICAL-PROPERTIES
The structures and transformations on Si(113) surface
期刊论文
applied surface science, 1997, 卷号: 120, 期号: 0, 页码: 94-98
Feng KA
;
Mu XM
;
Lin ZD
;
Xing YR
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/17
ATOMIC-STRUCTURE
RECONSTRUCTION
DIAMOND
SI
SILICON
HYDROGEN
SI(100)
LEED
STM
GE
ELECTRON-STATES OF A STACKING-FAULT RIBBON IN SILICON
期刊论文
solid state communications, 1994, 卷号: 92, 期号: 12, 页码: 987-989
LEHTO N
;
MARKLUND S
;
WANG YL
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/11/15
DISLOCATIONS
GERMANIUM
DISSOCIATION
ENERGY
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